[發明專利]用于半導體的粘合膜和使用該粘合膜的半導體器件

無效

• 申請號: 200780052533.2
• 申請日: 2007-04-10
• 公開（公告）號: CN101641773A
• 公開（公告）日: 2010-02-03
• 發明（設計）人: 安田浩幸;吉田將人
• 申請（專利權）人: 住友電木株式會社
• 主分類號: H01L21/52
• 分類號: H01L21/52;C09J7/00;C09J133/00;C09J163/00
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 吳小瑛

1.用于半導體的粘合膜，其包括熱塑性樹脂(A)、環氧樹脂(B)和固化劑(C)，

其中所述用于半導體的粘合膜從室溫開始以10℃/分鐘的速度升溫，在50℃～180℃的溫度范圍內，其最小熔融粘度為0.1Pa·s～500Pa·s，且其揮發性組分的含量為5.0％或更少。

2.如權利要求1所述的用于半導體的粘合膜，其中粘合后的芯片剪切強度為1MPa或更大。

3.如權利要求1或2所述的用于半導體的粘合膜，其中所述熱塑性樹脂(A)是丙烯酸樹脂。

4.如權利要求1或2所述的用于半導體的粘合膜，其中所述熱塑性樹脂(A)是具有選自環氧基團、羥基基團、羧基基團和腈基團中的至少一個基團的化合物。

5.如權利要求1或2所述的用于半導體的粘合膜，其中所述熱塑性樹脂(A)的重均分子量為100,000～1,000,000。

6.如權利要求1或2所述的用于半導體的粘合膜，其中所述熱塑性樹脂(A)的玻璃轉化溫度為-20℃～60℃。

7.如權利要求1或2所述的用于半導體的粘合膜，其滿足公式0.1≤a/(a+b+c)≤0.5，其中所述熱塑性樹脂(A)的含量為“a”重量份，所述環氧樹脂(B)的含量為“b”重量份，所述固化劑(C)的含量為“c”重量份。

8.如權利要求1或2所述的用于半導體的粘合膜，其中相對于10重量份的所述熱塑性樹脂(A)，所述環氧樹脂(B)的含量為10重量份～100重量份。

9.如權利要求1或2所述的用于半導體的粘合膜，其中所述固化劑(C)是酚樹脂。

10.如權利要求9所述的用于半導體的粘合膜，其中所述酚樹脂在25℃為液體。

11.半導體器件，其具有如下結構：利用如權利要求1～10中任一項所述的用于半導體的粘合膜將半導體元件連接到接合部件上。

12.如權利要求11所述的半導體器件，其中吸濕處理后的剪切強度為1MPa或更大。