[發明專利]現場外摻雜半導體傳輸層

有效

• 申請號: 200780051563.1
• 申請日: 2007-12-10
• 公開（公告）號: CN101611480A
• 公開（公告）日: 2009-12-23
• 發明（設計）人: K·B·卡亨
• 申請（專利權）人: 伊斯曼柯達公司
• 主分類號: H01L21/368
• 分類號: H01L21/368;H01L21/208
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 段曉玲;范 赤

1.制造用于電子設備中的現場外摻雜半導體傳輸層的方法，該方法 包括以下步驟：

(a)在膠體溶液中生長第一組的具有表面有機配體的半導體納米 顆粒；

(b)在膠體溶液中生長第二組的具有表面有機配體的摻雜材料納 米顆粒；

(c)將第一組的半導體納米顆粒和第二組的摻雜材料納米顆粒的 混合物沉積在表面上，其中有比摻雜材料納米顆粒更多的半導體納米顆 粒；

(d)進行納米顆粒的沉積混合物的第一次退火，以使有機配體從 第一組和第二組的納米顆粒的表面上煮掉；和

(e)進行沉積混合物的第二次退火，以使半導體納米顆粒熔結形 成連續的半導體層且摻雜材料原子從摻雜材料納米顆粒中擴散出去并 進入到連續半導體層中而得到現場外摻雜半導體傳輸層，

其中第一次退火是在低于220℃的溫度下進行，第二次退火是在250 ℃和500℃之間的溫度下進行。

2.權利要求1的方法，其中半導體選自IV，III-V，II-VI，或IV-VI 型半導體材料。

3.權利要求1的方法，其中半導體是II-VI型化合物，摻雜材料是 Ia，Ib，III或V族元素。

4.權利要求1的方法，其中半導體是III-V型化合物，摻雜材料是 IIa，IIb，IV或VI族元素。

5.權利要求1的方法，其中半導體是IV型材料，摻雜材料是III 或V族元素。

6.權利要求1的方法，其中半導體是IV-VI型材料，摻雜材料是III 或V族元素。

7.權利要求1的方法，其中半導體納米顆粒是具有量子限制效果的 量子點、量子棒或量子線。

8.權利要求1的方法，其中半導體納米顆粒是具有量子限制效果的 任何多重連接的納米顆粒。

9.權利要求1的方法，其中摻雜材料納米顆粒是量子點、量子棒或 量子線。

10.權利要求1的方法，其中摻雜材料納米顆粒是任何多重連接的 納米顆粒。

11.權利要求1的方法，其中第二次退火包括使用管式爐或快速熱 退火爐。

12.制造用于電子設備中的現場外摻雜半導體傳輸層的方法，該方 法包括以下步驟：

(a)在膠體溶液中生長第一組的具有表面有機配體的半導體納米 顆粒；

(b)在膠體溶液中生長第二組的具有表面有機配體的摻雜材料納 米顆粒；

(c)進行配體交換，以便用沸點低于200℃的有機配體覆蓋半導體 和摻雜材料納米顆粒的表面；

(d)制備含有經過配體交換的半導體和摻雜材料納米顆粒以及有 機溶劑的分散體，其中有比摻雜材料納米顆粒更多的半導體納米顆粒；

(e)將分散體涂覆在表面上；

(f)進行納米顆粒的沉積混合物的第一次退火，以使有機配體從半 導體和摻雜材料納米顆粒的表面上煮掉；和

(g)進行沉積混合物的第二次退火，以使半導體納米顆粒熔結以 形成連續的半導體層且摻雜材料原子從摻雜材料納米顆粒中擴散出去 并進入到連續半導體層中而得到現場外摻雜半導體傳輸層，

其中第一次退火是在低于220℃的溫度下進行，第二次退火是在250 ℃和500℃之間的溫度下進行。

13.權利要求12的方法，其中交換的配體是吡啶。

14.權利要求12的方法，其中溶劑是極性的。

15.權利要求12的方法，其中分散體通過旋涂、滴液流延或噴墨法 來涂覆。