[發明專利]氮化物半導體自立基板及其制造方法

有效

• 申請號: 200780048302.4
• 申請日: 2007-12-05
• 公開（公告）號: CN101573480A
• 公開（公告）日: 2009-11-04
• 發明（設計）人: 高見澤彰一;渡邊政孝
• 申請（專利權）人: 信越半導體股份有限公司
• 主分類號: C30B29/38
• 分類號: C30B29/38;C23C16/01;H01L21/304;H01L33/00
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 姜 燕;陳 晨

1.一種氮化物半導體自立基板的制造方法，其特征在于：

從1片晶種基板僅制造2片氮化物半導體自立基板，至少包含以下工藝：

準備工藝，其是準備8片以上的成為晶種基板的氮化物半導體自立基板；

外延成長工藝，其是通過利用縱型氫化物氣相外延裝置的氫化物氣相外 延法，在8片以上的上述晶種基板上，使與該晶種基板同種的氮化物半導體， 在同一處理室內，對8片以上的上述晶種基板同時進行外延成長；及

切片工藝，其是將已進行上述外延成長后的外延成長基板，與外延成長 面平行地切割來加以2分割；

在上述外延成長工藝中所形成的外延層厚度，設為1毫米以下。

2.如權利要求1所述的氮化物半導體自立基板的制造方法，其中將通過 權利要求1的氮化物半導體自立基板的制造方法所制造的氮化物半導體自立 基板，再次使用作為上述晶種基板。

3.如權利要求1或2所述的氮化物半導體自立基板的制造方法，其中研 磨上述已2分割切片而成的外延成長基板的該切割面。

4.如權利要求1或2所述的氮化物半導體自立基板的制造方法，其中將 上述成為晶種基板的氮化物半導體自立基板及上述所制造的氮化物半導體 自立基板，作為氮化鎵自立基板。

5.如權利要求1或2所述的氮化物半導體自立基板的制造方法，其中使 上述成為晶種基板的氮化物半導體自立基板的直徑為37.5毫米以上，厚度為 250微米以上，且歪斜值為35微米以下。

6.如權利要求1或2所述的氮化物半導體自立基板的制造方法，其中使 上述成為晶種基板的氮化物半導體自立基板，其貫穿位錯密度為5×10⁷/平方 厘米以下。

7.如權利要求1或2所述的氮化物半導體自立基板的制造方法，其中在 上述外延成長工藝后，而在上述切片工藝前，對上述外延成長基板的周邊部 進行倒角加工，并形成用以引導切片工具的槽。

8.如權利要求1或2所述的氮化物半導體自立基板的制造方法，其中使 用刀片的刃厚度為250微米以下的內周刃刀片、鋼絲直徑為200微米以下的 單鋼絲鋸、或是刀片的刃厚度為250微米以下的單刀片鋸，來進行上述切片 工藝。

9.如權利要求1或2所述的氮化物半導體自立基板的制造方法，其中先 堆疊多片上述外延成長基板，并使用鋼絲直徑為200微米以下的多鋼絲鋸、 或是刀片的刃厚度為250微米以下的多刀片鋸，將上述堆疊而成的多片外延 成長基板同時切片，來進行上述切片工藝。

10.一種氮化物半導體自立基板，其特征為：通過如權利要求1或2所 述的氮化物半導體自立基板的制造方法來制造。

11.如權利要求10所述的氮化物半導體自立基板，其直徑為37.5毫米 以上，厚度為250微米以上，且歪斜值為35微米以下。

12.如權利要求10所述的氮化物半導體自立基板，其貫穿位錯密度為5 ×10⁷/平方厘米以下。