[發明專利]埋入像素控制元件用的顯示基板

無效

• 申請號: 200780048000.7
• 申請日: 2007-12-20
• 公開（公告）號: CN101595513A
• 公開（公告）日: 2009-12-02
• 發明（設計）人: 中林正仁;福田達夫;柄澤泰紀;泉直史
• 申請（專利權）人: 琳得科株式會社
• 主分類號: G09F9/00
• 分類號: G09F9/00
• 代理公司: 北京三幸商標專利事務所
• 代理人: 劉激揚

技術領域

本發明涉及一種埋入像素控制元件用的顯示基板，更詳細地，涉及一種埋入像素控制元件用的顯示基板，其能品質良好地制造埋入了用于控制顯示器用各像素的像素控制元件的像素控制基板。

背景技術

目前的平面顯示器中，控制各像素的薄膜晶體管(TFT)等微小電子設備是形成在各像素附近的。但是，制造這些像素控制元件的步驟較多較復雜，難以避免其成本較高。這樣，為了削減成本，公開了通過印刷技術等手段，在顯示基板上固定微小結晶硅電路芯片的技術(例如參見專利文獻1)。

該技術中，公開了使用熱塑性的有機材料，通過加熱壓在顯示基板上埋入像素控制元件的方法。但是根據埋入的條件，公知的像素控制元件的位置會產生偏移。有機材料的厚度變薄的話位置偏移能減輕，但是厚度薄的話在有機材料中容易產生彎曲或變形，難以配置像素控制元件，在埋入像素控制元件后的配線工藝或電極制造工藝等中會有得不到充分的位置精度的問題。

為了解決這樣的問題，本發明人通過插入粘合劑層，將特定膜厚的熱塑性薄膜貼合在玻璃等基材上，來制造埋入像素控制元件用的顯示基板。作為該埋入像素控制元件用的顯示基板的使用形態，有加熱到比作為構成成分的熱塑性薄膜的玻璃化轉變溫度低若干度的溫度，且通過減壓脫氣(下面稱為“脫氣處理”)后，加熱到玻璃化轉變溫度以上，進行像素控制元件的埋入。但是，該埋入像素控制元件用的顯示基板在加熱到脫氣處理的溫度下的階段熱塑性薄膜會產生起泡或膨脹等不優選的現象，不進行適當的脫氣處理會產生新的問題。

[專利文獻1]日本特開2003-248436號公報

發明內容

本發明基于上述情況，提供一種高品質的埋入像素控制元件用的顯示基板，其具有特定膜厚的熱塑性薄膜和玻璃等基材作為構成要素。

具體的，實現了一種埋入像素控制元件用的顯示基板，其具有在埋入像素控制元件前加熱到脫氣處理溫度時，能防止熱塑性薄膜的起泡或膨脹等的性能(下面稱為“耐起泡性”。)

為了解決上述課題經過反復研究，發現依次疊層特定膜厚的熱塑性薄膜、粘合劑層、基材的埋入像素控制元件用的顯示基板中，作為粘合劑層使用在100～200℃下的儲能模量具有某個值以上的性質的制品，能顯示出優良的耐起泡性。

進而，通過在熱塑性薄膜和粘合劑層之間形成阻氣層，能發揮優良的耐起泡性，從而粘合劑層在100～200℃下的儲能模量能比上述值低。

并且，在與上述熱塑性薄膜的粘合劑層接觸側的面上，通過實施電暈放電處理或等離子放電處理，能提高與粘合劑層的粘合性，另一方面，通過在粘合劑層中含有硅烷偶聯劑，提高粘合劑層和基材的粘合性，發現能品質良好地制造用于控制各像素的像素控制元件被埋入的像素控制基板，從而獲得埋入像素控制元件用的顯示基板。

本發明是基于該方案來完成的。

即，本發明是提供

[1]一種埋入像素控制元件用的顯示基板，其特征在于其由在基材上依次疊層粘合劑層和厚度50～500μm的熱塑性薄膜來制得，上述粘合劑層基于JIS?K?7244-4測定的100～200℃下的儲能模量(E’)為1.0×10⁶Pa以上。

[2]一種埋入像素控制元件用的顯示基板，其特征在于其由在基材上依次疊層粘合劑層、阻氣層和厚度50～500μm的熱塑性薄膜來制得，上述粘合劑層基于JIS?K?7244-4測定的100～200℃下的儲能模量(E’)為1.0×10⁴Pa以上，并且阻氣層的厚度為25nm以上。

[3]上述[2]中所述的埋入像素控制元件用的顯示基板，其中阻氣層是硅的氧化膜、氮化膜或氧氮化膜。

[4]上述[1]～[3]的任何一項所述的埋入像素控制元件用的顯示基板，其中粘合劑層是壓敏粘合劑層或能量固化型壓敏粘合劑的固化層。

[5]上述[1]～[4]的任何一項所述的埋入像素控制元件用的顯示基板，其中粘合劑層的厚度為10～50μm。

[6]上述[1]～[5]的任何一項所述的埋入像素控制元件用的顯示基板，其中粘合劑層含有硅烷偶聯劑。

[7]上述[1]～[6]的任何一項所述的埋入像素控制元件用的顯示基板，其中熱塑性薄膜的原料是具有脂環結構的高分子聚合物，和

[8]上述[1]～[7]的任何一項所述的埋入像素控制元件用的顯示基板，其中熱塑性薄膜是在粘合劑層一側面上實施電暈放電處理或等離子放電處理制得。

根據本發明，能提供一種埋入像素控制元件用的顯示基板，其能品質優良地制造埋入了用于控制顯示用各像素的像素控制元件的像素控制基板。