[發(fā)明專利]膜質(zhì)評(píng)價(jià)方法及其裝置、以及薄膜設(shè)備的制造系統(tǒng)

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200780047527.8
• 申請(qǐng)日: 2007-10-31
• 公開（公告）號(hào): CN101568821A
• 公開（公告）日: 2009-10-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 坂井智嗣;津村陽(yáng)一郎;飯?zhí)镎?/a>;川添浩平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三菱重工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G01N21/27
• 分類號(hào): G01N21/27;H01L21/66
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 高培培;車 文

1.一種膜質(zhì)評(píng)價(jià)方法，包括：

對(duì)在基板上形成的結(jié)晶質(zhì)硅膜從膜面?zhèn)日丈涔猓?

對(duì)由所述結(jié)晶質(zhì)硅膜反射的反射光進(jìn)行檢測(cè)，

對(duì)檢測(cè)出的反射光的輝度的參數(shù)進(jìn)行計(jì)測(cè)，

根據(jù)該輝度的參數(shù)是否在預(yù)先設(shè)定的適當(dāng)范圍內(nèi)，進(jìn)行該結(jié)晶質(zhì) 硅膜的膜質(zhì)評(píng)價(jià)，

分別檢測(cè)出具有不同拉曼峰值強(qiáng)度比的多個(gè)樣本的輝度的參數(shù)， 作成將檢測(cè)出的輝度的參數(shù)和所述拉曼峰值強(qiáng)度比建立關(guān)聯(lián)的輝度特 性，

在所述輝度特性中，設(shè)定與預(yù)先決定的拉曼峰值強(qiáng)度比的適當(dāng)范 圍相當(dāng)?shù)妮x度的適當(dāng)范圍，使用設(shè)定的所述輝度的參數(shù)的適當(dāng)范圍進(jìn) 行所述結(jié)晶質(zhì)硅的膜質(zhì)評(píng)價(jià)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜質(zhì)評(píng)價(jià)方法，其特征在于，

使用色差或反射率作為所述輝度的參數(shù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的膜質(zhì)評(píng)價(jià)方法，其特征在于，

在使用反射率作為所述輝度的參數(shù)時(shí)，使用波長(zhǎng)650nm以上的反 射率。

4.一種膜質(zhì)評(píng)價(jià)裝置，其特征在于，具有：

光照射部，其對(duì)在基板上形成的結(jié)晶質(zhì)硅膜從膜面?zhèn)日丈涔猓?

光檢測(cè)部，其對(duì)由所述結(jié)晶質(zhì)硅膜反射的反射光進(jìn)行檢測(cè)；

參數(shù)計(jì)測(cè)部，其對(duì)檢測(cè)出的反射光的輝度的參數(shù)進(jìn)行計(jì)測(cè)；和

評(píng)價(jià)部，其根據(jù)該輝度的參數(shù)是否在預(yù)先設(shè)定的適當(dāng)范圍內(nèi)，進(jìn) 行該結(jié)晶質(zhì)硅膜的膜質(zhì)評(píng)價(jià)，

所述評(píng)價(jià)部分別檢測(cè)具有不同拉曼峰值強(qiáng)度比的多個(gè)樣本的輝度 的參數(shù)，作成將檢測(cè)出的輝度的參數(shù)和所述拉曼峰值強(qiáng)度比建立關(guān)聯(lián) 的輝度特性，在所述輝度特性中，設(shè)定與預(yù)先決定的拉曼峰值強(qiáng)度比 的適當(dāng)范圍相當(dāng)?shù)妮x度的參數(shù)的適當(dāng)范圍，使用設(shè)定的所述輝度的參 數(shù)的適當(dāng)范圍進(jìn)行所述結(jié)晶質(zhì)硅的膜質(zhì)評(píng)價(jià)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的膜質(zhì)評(píng)價(jià)裝置，其特征在于，

使用色差或反射率作為所述輝度的參數(shù)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的膜質(zhì)評(píng)價(jià)方法，其特征在于，

在使用反射率作為所述輝度的參數(shù)時(shí)，使用波長(zhǎng)650nm以上的反 射率。

7.一種薄膜設(shè)備的制造系統(tǒng)，其特征在于，

具有權(quán)利要求4所述的膜質(zhì)評(píng)價(jià)裝置，

所述光照射部配置成對(duì)在包含薄膜形成的生產(chǎn)線上所搬運(yùn)的基板 上形成的結(jié)晶質(zhì)硅膜從膜面?zhèn)日丈涔猓瑥亩鴮?duì)薄膜形成狀況進(jìn)行監(jiān)視。

8.一種薄膜硅系設(shè)備，使用權(quán)利要求4所述的膜質(zhì)評(píng)價(jià)裝置而制 造。