[發明專利]用于分離硅晶片的方法和設備

有效

• 申請號: 200780047417.1
• 申請日: 2007-12-19
• 公開（公告）號: CN101652849A
• 公開（公告）日: 2010-02-17
• 發明（設計）人: 佩爾·阿爾內·王;阿爾內·拉姆斯蘭;奧勒·克里斯蒂安·特朗魯德;埃里克·耶塔斯;本特·哈梅爾;安德烈·斯凱伊;奧拉·特朗魯德
• 申請（專利權）人: REC斯坎沃佛股份有限公司
• 主分類號: H01L21/677
• 分類號: H01L21/677;H01L21/683;B65G49/06;B28D5/00
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 張建濤

1.一種用于從硅晶片的水平堆分離硅晶片的方法，其中所述硅晶片的堆疊方向是水平的，并且所述硅晶片的表面位于基本豎直的平面中，

其特征在于所述方法包括如下步驟：

a)將可移動傳輸設備(2)附接到所述堆(10)中的最外硅晶片(12a)的表面，

b)在基本豎直的平面中移動所述硅晶片(12a)，直到所述硅晶片(12a)從所述堆(10)分離。

2.根據權利要求1所述的方法，

其特征在于所述方法包括沿基本豎直的路徑、基本水平的路徑、傾斜路徑或彎曲路徑向上的移動。

3.根據權利要求1所述的方法，

其特征在于所述方法包括將液體或流體噴射到所述硅晶片(12a)上以便將所述硅晶片(12a)分離，從而抵消在附接到所述傳輸設備的所述硅晶片(12a)與相鄰硅晶片之間的結合力。

4.根據權利要求1所述的方法，

其特征在于所述方法包括通過阻擋設備(4)來防止所述堆中的一個或多個相鄰硅晶片的同時移動。

5.根據權利要求1所述的方法，

其特征在于所述方法具有在步驟b)之后的如下步驟：c1)將所述晶片從所述傳輸設備移除。

6.根據權利要求1所述的方法，

其特征在于所述方法包括在步驟b)之后的如下步驟：c2)將所述堆(10)朝著所述傳輸設備(2)移動與所述硅晶片(12a)的厚度相對應的距離；d)步驟a)-b)的重復，用于從所述堆分離下一硅晶片。

7.根據權利要求1所述的方法，

其特征在于完全或部分地浸沒在液體填充容器(5)中來實施所述方法。

8.根據權利要求7所述的方法，

其特征在于所述液體是水或具有用于降低粘度和/或表面張力的添加劑的水，從而便于將所述硅晶片從所述堆分離。

9.根據權利要求7所述的方法，

其特征在于所述液體具有在10-70℃之間的溫度。

10.根據權利要求7所述的方法，

其特征在于所述液體具有在30-60℃之間的溫度。

11.根據權利要求7所述的方法，

其特征在于所述液體具有50℃的溫度。

12.一種用于從硅晶片(12)的水平堆(10)分離硅晶片(12a)的設備(1)，其中所述硅晶片的堆疊方向是水平的，并且所述硅晶片的表面位于基本豎直的平面中，

其特征在于所述設備(1)包括用于附接到所述堆(10)中的最外硅晶片(12a)的表面的可移動傳輸設備(2)，其中所述可移動傳輸設備(2)布置為用于在基本豎直的平面中移動所述硅晶片(12a)，直到所述硅晶片(12a)從所述堆(10)分離。

13.根據權利要求12所述的設備，

其特征在于所述設備包括用于基本沿豎直、水平、傾斜或彎曲路徑在所述豎直平面中移動所述最外晶片的器械。

14.根據權利要求12所述的設備，

其特征在于所述設備包括一個或多個噴嘴(3)，所述一個或多個噴嘴(3)用于將液體或流體噴射到所述硅晶片(12a)上，以便將所述硅晶片(12a)分離，從而抵消在附接到所述傳輸設備的所述硅晶片(12a)與相鄰硅晶片之間的結合力。

15.根據權利要求12所述的設備，

其特征在于所述設備包括阻擋設備(4)，所述阻擋設備(4)用于防止所述堆(10)中的一個或多個下層硅晶片的同時移動。

16.根據權利要求12所述的設備，

其特征在于所述設備包括用于將所述晶片從所述傳輸設備移除的設備。

17.根據權利要求12所述的設備，

其特征在于所述設備包括用于將所述堆(10)朝著所述傳輸設備(2)移動與所述硅晶片(12a)的厚度相對應的距離的裝置，從而允許通過所述傳輸設備(2)將下一硅晶片從所述堆分離。

18.根據權利要求12所述的設備，

其特征在于所述設備包括液體填充容器(5)，所述堆(10)完全或部分地浸沒在所述液體填充容器(5)中。