[發(fā)明專利]用于影響和/或檢測(cè)作用區(qū)域中的磁性料子的裝置和方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200780047009.6
• 申請(qǐng)日: 2007-12-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101563033A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-10-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: B·格萊希;J·魏岑埃克
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 皇家飛利浦電子股份有限公司
• 主分類號(hào): A61B5/05
• 分類號(hào): A61B5/05
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司
• 代理人: 趙騰飛;王 英

1.一種用于影響和/或檢測(cè)作用區(qū)域(300)中的磁性粒子(100)的設(shè) 備(10)，該設(shè)備包括：

-選擇裝置(210)，用于產(chǎn)生選擇磁場(chǎng)(211)，所述選擇磁場(chǎng)的磁場(chǎng)強(qiáng) 度具有一空間模式，從而使得在所述作用區(qū)域(300)中形成具有低磁場(chǎng)強(qiáng) 度的第一子區(qū)(301)和具有較高磁場(chǎng)強(qiáng)度的第二子區(qū)(302)，

-驅(qū)動(dòng)裝置(220)，用于借助于驅(qū)動(dòng)磁場(chǎng)(221)來(lái)改變所述作用區(qū)域 (300)中所述第一子區(qū)(301)和所述第二子區(qū)(302)的空間位置，以使 得所述磁性粒子(100)的磁化強(qiáng)度局部地變化，以及

-接收裝置(230)，用于采集信號(hào)，該信號(hào)取決于所述作用區(qū)域(300) 中的磁化強(qiáng)度，該磁化強(qiáng)度受到所述第一子區(qū)(301)和所述第二子區(qū)(302) 的空間位置的改變的影響，

-其中所述接收裝置(230)包括第一補(bǔ)償裝置(281)和第二補(bǔ)償裝置 (282)，所述第一補(bǔ)償裝置(281)和所述第二補(bǔ)償裝置(282)與所述接 收裝置(230)的至少一部分串聯(lián)連接，以通過(guò)所述第一補(bǔ)償裝置(281) 和所述第二補(bǔ)償裝置(282)在所述接收裝置(230)內(nèi)提供補(bǔ)償信號(hào)來(lái)補(bǔ) 償所述驅(qū)動(dòng)裝置(220)在所述接收裝置(230)中感應(yīng)的感應(yīng)信號(hào)。

2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備(10)，其中，所述第一補(bǔ)償裝置和所述 第二補(bǔ)償裝置(281、282)每一個(gè)都包括補(bǔ)償線圈。

3.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備(10)，其中，以固定方式設(shè)置所述第一 補(bǔ)償裝置(281)的位置，并且其中，以可調(diào)整方式設(shè)置所述第二補(bǔ)償裝置 (282)的位置。

4.如權(quán)利要求1或3所述的設(shè)備(10)，其中，將所述第一補(bǔ)償裝置 (281)設(shè)置在比所述第二補(bǔ)償裝置(282)更接近所述驅(qū)動(dòng)裝置(220)的 至少一部分的位置處。

5.如權(quán)利要求4所述的設(shè)備(10)，其中，將所述第一補(bǔ)償裝置(281) 設(shè)置在盡可能靠近所述驅(qū)動(dòng)裝置(220)的位置處。

6.如權(quán)利要求5所述的設(shè)備(10)，其中，將所述第一補(bǔ)償裝置(281) 設(shè)置在與所述驅(qū)動(dòng)裝置(220)的距離小于10mm的位置處。

7.如權(quán)利要求6所述的設(shè)備(10)，其中，將所述第一補(bǔ)償裝置(281) 設(shè)置在與所述驅(qū)動(dòng)裝置(220)的距離小于3mm的位置處。

8.如權(quán)利要求4所述的設(shè)備(10)，其中，所述第二補(bǔ)償裝置(282) 具有比所述第一補(bǔ)償裝置(281)更小的噪聲感生電阻。

9.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備(10)，其中，所述接收裝置(230)的阻 抗由熱噪聲支配。

10.如權(quán)利要求9所述的設(shè)備(10)，其中，所述接收裝置(230)的 阻抗是由所述作用區(qū)域(300)中的熱噪聲產(chǎn)生的。

11.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備(10)，其中，所述第一補(bǔ)償裝置(281) 和/或所述第二補(bǔ)償裝置(282)至少部分地包括李茲線(250)。

12.如權(quán)利要求11所述的設(shè)備(10)，其中，所述李茲線(250)被布 置為，使得在指定工作頻帶中以及在穿透所述李茲線(250)的指定電磁場(chǎng) 中的阻抗基本上是最小的。

13.如權(quán)利要求11所述的設(shè)備(10)，其中，所述李茲線(250)包括 多條單股線(255)，每一條單股線都由高電阻材料(256)圍繞。

14.如權(quán)利要求13所述的設(shè)備(10)，其中，所述李茲線(250)包括 多條第一級(jí)李茲線(251)，所述第一級(jí)李茲線(251)包括多條單股線(255)。

15.如權(quán)利要求13所述的設(shè)備(10)，其中，所述李茲線(250)包括 多條第一級(jí)李茲線(251)和多條第二級(jí)李茲線(252)，其中，所述第一級(jí) 李茲線(251)包括多條單股線(255)，其中，所述第二級(jí)李茲線(252) 包括多條第一級(jí)李茲線(251)。