[發(fā)明專利]底柵型薄膜晶體管、其制造方法及顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200780045002.0
• 申請(qǐng)日: 2007-11-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101548389A
• 公開(kāi)（公告）日: 2009-09-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林享;加地信幸;藪田久人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 佳能株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/786
• 分類號(hào): H01L29/786
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所
• 代理人: 康建忠

1.一種底柵型薄膜晶體管，在襯底上包含：

柵電極；

作為柵極絕緣膜的第一絕緣膜；

作為溝道層的氧化物半導(dǎo)體層；

作為保護(hù)層的第二絕緣膜；

源電極；和

漏電極，

其中，所述氧化物半導(dǎo)體層包括氧化物，所述氧化物包括選自由 In、Zn和Sn構(gòu)成的組的至少一種，并且，

其中，所述第二絕緣膜包括被形成為與所述氧化物半導(dǎo)體層接觸 的非晶氧化物絕緣體，并且在其中含有3.8×10¹⁹分子/cm³或更多的脫 附氣體，所述脫附氣體通過(guò)溫度編程脫附質(zhì)譜分析被觀察為氧。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的底柵型薄膜晶體管，其中，所述氧化物 半導(dǎo)體層包括非晶氧化物，所述非晶氧化物包括In、Zn和Ga。

3.一種顯示裝置，包含：

具有像素電極的電光器件；和

根據(jù)權(quán)利要求1所述的底柵型薄膜晶體管，

其中，所述像素電極與所述底柵型薄膜晶體管的源電極和漏電極 之一連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中，所述電光器件是電致 發(fā)光器件。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中，所述電光器件是液晶 單元。

6.根據(jù)權(quán)利要求3～5中的任一項(xiàng)所述的顯示裝置，其中，多個(gè)所 述電光器件和多個(gè)所述底柵型薄膜晶體管二維布置在襯底上。

7.一種底柵型薄膜晶體管的制造方法，所述底柵型薄膜晶體管在 襯底上包含：柵電極、作為柵極絕緣膜的第一絕緣膜、作為溝道層的 氧化物半導(dǎo)體層、作為保護(hù)層的第二絕緣膜、源電極和漏電極，所述 制造方法包括：

在所述襯底上形成所述柵電極；

依次形成所述第一絕緣膜和所述氧化物半導(dǎo)體層；

對(duì)所述第一絕緣膜和所述氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行構(gòu)圖；

在包含氧化氣體的氣氛中形成所述第二絕緣膜；

對(duì)所述第二絕緣膜進(jìn)行構(gòu)圖，以覆蓋所述氧化物半導(dǎo)體層的溝道 區(qū)域的至少一部分；

形成所述源電極和所述漏電極；以及

使用所述第二絕緣膜作為蝕刻阻止體，對(duì)所述源電極和所述漏電 極進(jìn)行構(gòu)圖，

其中，所述第二絕緣膜被形成為在其中含有3.8×10¹⁹分子/cm³或 更多的氧。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的底柵型薄膜晶體管的制造方法，其中， 形成所述第二絕緣膜的步驟使用的濺射氣體中包含的氧氣和氬氣的混 合比大于等于10vol％且小于等于50vol％。