[發(fā)明專利]使用量子系統(tǒng)識別和量子控制技術(shù)用于醫(yī)療診斷和治療目的無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200780044048.0 | 申請日: | 2007-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN101617407A | 公開(公告)日: | 2009-12-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | I·W·亨特爾;S·索馬魯;S·拉方丹;P·A·安克蒂爾 | 申請(專利權(quán))人: | 阿里戴斯公司 |
| 主分類號: | H01L29/06 | 分類號: | H01L29/06 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務所 | 代理人: | 楊曉光;周良玉 |
| 地址: | 美國馬*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 使用 量子 系統(tǒng) 識別 控制 技術(shù) 用于 醫(yī)療 診斷 治療 目的 | ||
1.一種量子控制方法,包括以下步驟:
將包含了具有量子態(tài)的目標的樣品暴露到第一電子輻射,以在所述目標的所述量子態(tài)上施加第一哈密頓量,其中所述輻射在所述目標的所述量子態(tài)上編碼圖形;
檢測來自所述樣品的響應;
計算所述樣品對所述第一電磁輻射的期望響應;以及
將所述目標的所述期望響應與來自所述樣品的所述檢測的響應進行比較,以測量所述樣品中所述目標的存在。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的量子控制方法,還包括:
使用反饋循環(huán)尋找最優(yōu)脈沖序列,以最大化來自所述目標的信號響應,其中所述反饋循環(huán)包括:
在將所述目標暴露到第二電磁輻射以在所述目標的所述量子態(tài)上施加第二哈密頓量之后,檢測來自所述目標的所述信號響應;
計算成本函數(shù);
基于所述成本函數(shù)修改所述第二電磁輻射;以及
將所述目標暴露到所述修改的第二電磁輻射。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的量子控制方法,其中根據(jù)自適應算法修改所述第二電磁輻射。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的量子控制方法,其中所述自適應算法為遺傳、地貌算法、基于演化策略的算法、演化規(guī)劃、模擬退火、高斯適應、爬山算法、基于系統(tǒng)函數(shù)的信號綜合方法、或群體智能。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中使用偽隨機二元微擾圖形、掃頻微擾圖形、隨機輸入驅(qū)動微擾圖形、固定頻率或多頻率圖形、或其他非規(guī)則微擾圖形編碼所述第一電磁輻射。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中所述第一電磁輻射來自激光、NMR、微波、或射頻產(chǎn)生器。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的方法,其中所述第一電磁輻射光聲激勵所述目標。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的方法,其中所述響應為喇曼散射。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中所述第一哈密頓量依賴或不依賴于時間。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其中所述第二哈密頓量依賴或不依賴于時間。
11.一種檢測方法,包括以下步驟:
產(chǎn)生編碼的微擾序列;
用所述編碼的微擾序列微擾樣品中的目標材料的量子系統(tǒng);
測量所述量子系統(tǒng)響應于所述編碼的微擾序列的第一信號,并使用系統(tǒng)識別來估計所述量子系統(tǒng)的系統(tǒng)函數(shù);
產(chǎn)生隨機微擾序列;
用所述隨機微擾序列微擾所述樣品中的所述目標材料的所述量子系統(tǒng);
測量所述量子系統(tǒng)響應于所述隨機微擾序列的第二信號;
使用系統(tǒng)識別解碼來自所述量子系統(tǒng)的所述第二信號;以及
基于其系統(tǒng)函數(shù)識別所述樣品中的所述目標材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求10的方法,其中所述隨機微擾序列包括具有幅度和頻率的電磁輻射的脈沖列,并且其中至少所述脈沖鏈的所述幅度或頻率是變化的。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的方法,其中所述目標材料的所述量子系統(tǒng)為生物分子或治療成分。
14.根據(jù)權(quán)利13的方法,其中所述生物分子為下列中的至少一個:葡萄糖、胰島素、病毒標志物、免疫標志物、心血管生物標志物、炎癥生物標志物、膽固醇、甘油三酯、C-反應蛋白、膽紅素、堿性磷酸酶、丙氨酸轉(zhuǎn)氨酶、AST/GOT、TSH、肌氨酸、肌氨酸酐、清蛋白、腦脊髓流體分析物、Tau蛋白、阿爾茨海默生物標志物、血腦屏障轉(zhuǎn)運生物標志物、眼房水分析物、瘢前驅(qū)物、癌抗原、毒性生物標志物、代謝生物標志物、輸運生物標志物、血色素、糖尿病生物標志物、中樞神經(jīng)系統(tǒng)生物標志物、以及泌尿生殖生物標志物。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的





