[發明專利]用于儲存和糾正數據的存儲器系統和方法無效
| 申請號: | 200780043953.4 | 申請日: | 2007-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN101606131A | 公開(公告)日: | 2009-12-16 |
| 發明(設計)人: | M·肖;L·J·薩耶 | 申請(專利權)人: | 惠普開發有限公司 |
| 主分類號: | G06F11/10 | 分類號: | G06F11/10;G11C29/00 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 張雪梅;徐予紅 |
| 地址: | 美國德*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 儲存 糾正 數據 存儲器 系統 方法 | ||
背景技術
使得電子設備的功能性和性能能夠不斷改進的是數字存儲系統逐 步增加的容量和存取速度。例如,諸如靜態隨機存取存儲器(SRAM)和 動態隨機存取存儲器(DRAM)的單個的存儲器組件,以及諸如單列直插 內存模塊(SIMM)和雙列直插內存模塊(DIMM)的包含若干個存儲組件 的模塊,當前以小的封裝提供許多兆字節的數字數據存儲。存儲技術的 這些進展使得大量數據存儲可納入手機、個人數字助理(PDA)、全球 定位系統(GPS)接收器和其他便攜式電子產品。
然而,數字存儲容量的增加也加重了與維護存儲在存儲器中的數據 的完整性有關的困難。根據所涉及的特定的存儲設備及相關產品的性 質,臨時性或永久性的數據錯誤可能會相當頻繁地發生。舉例來說,DRAM 以在正常運作中在隨機位置經歷暫時性的數據錯誤而著稱。不幸的是, 存儲器組件中的僅單個的二進制數字(或“位”)的數據錯誤可常常造 成相關產品的不可恢復的錯誤、產生損壞的和無法使用的數據、或其他 重大禍患。
因此,維護數字存儲器中的數據完整性在電子系統中往往是高度優 先的。為此,用于數字數據存儲器的、有能力糾正每個存儲位置的一個 或多個錯誤數據位的許多數據錯誤檢測和糾正方案已經被設計出來。
然而,這些方案通常涉及在增加的復雜性和數據存儲開銷等方面的 代價。因此,錯誤檢測和糾正方案越強,產生的相關費用越大。此外, 隨著采用的數字數據存儲器的容量繼續增加,這種能力就變得更加重要 和昂貴。
附圖說明
圖1是根據本發明的實施例的數據存儲系統的框圖。
圖2是根據本發明的實施例的數據存儲系統中存儲和糾正數據的方 法的流程圖。
圖3是根據本發明的另一實施例的數據存儲系統的框圖。
圖4是根據本發明的實施例的圖3的數據存儲系統的一個可尋址位 置的數據組織的框圖。
圖5是根據本發明的實施例的圖3的存儲數據系統中存儲和糾正數 據的方法的流程圖。
具體實施方式
本發明的一個實施例是圖1所示的數據存儲系統100。數據存儲系 統100包括多個第一數據存儲設備102、至少兩個第二數據存儲設備 104、和第三數據存儲設備106。多個第一數據存儲設備102配置為存儲 可包括用戶數據的第一數據。第二數據存儲設備104配置為存儲糾錯數 據。提供第三數據存儲設備106作為備用設備以替代第一數據存儲設備 102中的一個或至少兩個第二數據存儲設備104中的一個。
數據存儲系統100中還提供了配置為使用第一數據生成糾錯數據的 控制電路108。此外,該控制電路108配置為使用糾錯數據糾正第一數 據中的錯誤。此外,控制電路108配置為用第三數據存儲設備106替代 第一數據存儲設備102中的一個或至少兩個第二數據存儲設備104中的 一個。
圖2顯示用于存儲和糾正數據存儲系統中的數據的方法200。盡管 方法200也可對其他存儲結構實施,但聯系圖1的存儲系統100說明方 法200。首先,基于第一數據生成糾錯數據(操作202)。在一個實施 例中,第一數據包括用戶數據。然后,將第一數據存儲到多個第一數據 存儲設備102中(操作204)。還有,將糾錯數據存儲到至少兩個第二 數據存儲設備104中(操作206)。使用糾錯數據糾正第一數據中的至 少一個錯誤(操作208)。另外,用第三數據存儲設備106替代多個第 一數據存儲設備102中的一個或至少兩個第二數據存儲設備104中的一 個(操作210)。
圖3描述了根據本發明的另一實施例的特定的數據存儲系統300。 雖然下面以諸如若干個存儲設備、具體的數據組織、可能采用的糾錯類 型等的具體術語介紹數據存儲系統300,但采用如下指定細節之變形的 其它實施例也是可能的。
系統300包括若干個第一數據存儲設備302、兩個第二數據存儲設 備304和兩個第三數據存儲設備306。在圖3的具體實施例中,數據存 儲設備302、304、306是16位寬的動態隨機存取存儲器(DRAM)。在 其它的實施中,可采用例如8位或4位的其它寬度的DRAM。用于其它實 施例的是諸如靜態隨機存取存儲器(SRAM)的不同位寬度的其它類型的 存儲器件和結構,以及采用了多個這類器件的較大的存儲結構,包括但 不限于單列直插內存模塊(SIMM)、雙列直插內存模塊(DIMM)和完全 緩沖雙列直插內存模塊(FBD)。
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