[發明專利]提供與像素陣列相關聯的存儲器單元的方法、設備和系統無效
| 申請號: | 200780042465.1 | 申請日: | 2007-11-08 |
| 公開(公告)號: | CN101595723A | 公開(公告)日: | 2009-12-02 |
| 發明(設計)人: | 卡爾·霍爾茨克勞;徐辰;理查德·A·毛里松;陳彥東;杰弗里·布魯斯;李向利;約翰內斯·索爾胡斯維克 | 申請(專利權)人: | 普廷數碼影像控股公司 |
| 主分類號: | H04N5/335 | 分類號: | H04N5/335 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 孟 銳 |
| 地址: | 英屬開*** | 國省代碼: | 開曼群島;KY |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 提供 像素 陣列 相關 存儲器 單元 方法 設備 系統 | ||
1.一種成像裝置,其包括:
陣列,其包括成像像素和提供于所述陣列的至少一部分中的存儲器單元,其中所述陣列的一行中的至少一個存儲器單元與所述行的所述成像像素共享至少一個控制信號線。
2.根據權利要求1所述的成像裝置,其中至少一個存儲器單元包括:
可編程的反熔絲元件,其具有連接到第一電壓源線的第一節點;
襯底中的存儲區;
轉移晶體管,其連接于所述反熔絲元件的第二節點與所述存儲區之間;
復位晶體管,其連接于所述存儲區與第二電壓源線之間;以及
源極跟隨器晶體管,其具有連接到所述存儲區的柵極,用于提供輸出信號。
3.根據權利要求2所述的成像裝置,其進一步包括行選擇晶體管,所述行選擇晶體管連接到所述源極跟隨器晶體管,用于控制來自所述源極跟隨器晶體管的輸出信號向輸出線的施加。
4.根據權利要求2所述的成像裝置,其進一步包括控制電路,所述控制電路經配置以提供控制所述復位晶體管和轉移晶體管的信號。
5.根據權利要求2所述的成像裝置,其中所述存儲區具有摻雜,所述摻雜足以防止在所述反熔絲元件的編程期間對所述轉移晶體管和所述復位晶體管的熱載流子損壞。
6.根據權利要求2所述的成像裝置,其中擴散區形成于所述反熔絲元件與所述轉移晶體管之間,且所述擴散區的所述摻雜足以防止在所述反熔絲元件的編程期間對至少所述轉移晶體管和所述復位晶體管的熱載流子損壞。
7.根據權利要求2所述的成像裝置,其中至少一列存儲器單元位于所述像素陣列的邊緣上。
8.根據權利要求1所述的成像裝置,其中所述陣列包括至少一列存儲器單元。
9.根據權利要求1所述的成像裝置,其中所述至少一個共享控制信號線包括復位線。
10.根據權利要求1所述的成像裝置,其中所述至少一個共享控制信號線包括轉移線。
11.根據權利要求1所述的成像裝置,其中所述至少一個共享控制信號線包括行選擇線。
12.根據權利要求1所述的成像裝置,其中所述至少一個共享控制信號線包括復位控制線和列選擇控制線。
13.根據權利要求12所述的成像裝置,其中所述至少一個共享控制信號線進一步包括轉移控制線。
14.根據權利要求1所述的成像裝置,其中所述反熔絲元件包括電容器結構。
15.根據權利要求1所述的成像裝置,其中所述反熔絲元件包括MOS晶體管。
16.根據權利要求15所述的成像裝置,其中所述MOS晶體管具有柵極元件,且進一步在襯底內在所述柵極元件的邊緣下包括成角度的n型環狀植入物。
17.根據權利要求15所述的成像裝置,其中所述反熔絲元件提供于襯底中的p型區上。
18.根據權利要求15所述的成像裝置,其中所述反熔絲元件提供于襯底中的n型區上。
19.根據權利要求1所述的成像裝置,其進一步包括控制電路,所述控制電路用于控制所述存儲器元件的讀出。
20.根據權利要求19所述的成像裝置,其中所述控制電路經配置以控制成像像素和存儲器單元的所述讀出。
21.一種像素陣列,其包括:
成像像素,其布置在所述陣列的行和列中,其中所述陣列的多個行各自具有成像像素和至少一個存儲器單元,所述存儲器單元中的每一者含有反熔絲元件。
22.根據權利要求21所述的像素陣列,其進一步包括控制電路,所述控制電路用于在所述成像像素與存儲器單元所共享的線上產生控制信號。
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