[發明專利]用于發射混合光的裝置無效
| 申請號: | 200780041424.0 | 申請日: | 2007-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN101542754A | 公開(公告)日: | 2009-09-23 |
| 發明(設計)人: | H·-H·貝克特爾;P·J·施米特;M·溫特 | 申請(專利權)人: | 皇家飛利浦電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/00 | 分類號: | H01L33/00 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 劉 鵬;譚祐祥 |
| 地址: | 荷蘭艾*** | 國省代碼: | 荷蘭;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 發射 混合 裝置 | ||
1.一種用于在平均發射方向(5)上發射包括初級和次級輻射(51, 52,53)的混合光(5)的裝置,包括
-至少一個第一電致發光光源(21),用于發射在第一波長處具有 最大強度的第一初級輻射(51),
-至少一個第二電致發光光源(22),用于發射在比第一波長更大 的第二波長處具有最大強度的第二初級輻射(52),以及
-光轉換元件(3),用于吸收所述初級輻射(52,52)中的至少 一個并且重新發射次級輻射(53),所述光轉換元件(3)被如此設置, 使得所述混合光中所有的初級輻射(51,52)都經過該光轉換元件(3), 并且該光轉換元件(3)包括陶瓷光轉換材料,其微觀結構被選擇成 使得包括初級和次級輻射的混合光(5)的色點與視角(B)無關,
其特征在于,所述陶瓷光轉換材料包括多個氧化粒子,其平均直徑 在50nm與5000nm之間。
2.如權利要求1所述的用于發射混合光(5)的裝置,其特征在于, 所述第一波長處于光譜的藍色或紫外區域,并且所述第二波長處于光譜 的紅色區域。
3.如權利要求1所述的用于發射混合光(5)的裝置,其特征在于, 所述陶瓷光轉換材料的折射率與所述氧化粒子的折射率之間的差值 大于0.2。
4.如權利要求1或3所述的用于發射混合光(5)的裝置,其特征 在于,所述陶瓷光轉換材料包括多個孔隙,其平均直徑在250nm與 2900nm之間。
5.如權利要求1-3中任何一項所述的用于發射混合光(5)的裝置, 其特征在于,所述陶瓷光轉換材料的密度大于相應晶體材料的理論最 大密度的97%。
6.如權利要求1-3中任何一項所述的用于發射混合光(5)的裝置, 其特征在于,所述光轉換元件(3)通過該光轉換元件(3)與所述第 一(21)和第二(22)電致發光光源之間的硅樹脂層(8)光學耦合 到這些光源(21,22)。
7.如權利要求1-3任何一項所述的用于發射混合光(5)的裝置, 其特征在于,所述光轉換元件(3)在表面法線垂直于混合光(5)的 平均發射方向的側面上包括反射層(7)。
8.如權利要求1-3中任何一項所述的用于發射混合光(5)的裝置, 其特征在于,可以借助于操作單元(9)以可變的方式彼此獨立地設 置所述第一和第二初級輻射(51,52)的強度。
9.一種預期用于在平均發射方向(5)上發射從初級和次級輻射 (51,52,53)產生的混合光(5)以及用于吸收所述初級輻射(51, 52)中的至少一個并且重新發射所述次級輻射(53)的光轉換元件(3), 所述光轉換元件(3)包括陶瓷材料,其微觀結構被選擇成使得從初 級和次級輻射(51,52,53)產生的混合光(5)的色點與視角(B) 無關,
其特征在于,所述陶瓷材料包括多個氧化粒子,其平均直徑在 50nm與5000nm之間。
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