[發明專利]化學抵抗性半導體處理室本體

無效

• 申請號: 200780038200.4
• 申請日: 2007-08-09
• 公開（公告）號: CN101589118A
• 公開（公告）日: 2009-11-25
• 發明（設計）人: 鄭榮;阿諾德·霍洛堅科;馬克·曼德爾保埃姆;格蘭特·彭;卡特里娜·米哈利欽科
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: C09D5/10
• 分類號: C09D5/10
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 吳貴明

1.一種處理室本體，該處理器本體使得半導體處理設備至少部分 裝設在該處理室本體內，該半導體處理裝置被配置為使用流體 對基板進行處理，該處理室本體包含：

用來形成該處理室本體的基底材料，該處理室本體由至 少一個下表面和與該下表面一體連接的側壁表面定義，以能夠 捕獲該處理室本體上方的基板處理期間溢出的流體，該基底材 料是金屬的；

位于該基底材料上并覆蓋該基底材料的底層涂層材料， 該底層涂層材料具有金屬組分和非金屬組分，該金屬組分用以 與該基底材料整體粘合；及

位于該底層涂層材料上并覆蓋該底層涂層材料的主涂層 材料，該主涂層材料由非金屬組分定義，該主涂層材料的非金 屬組分定義了與該底層涂層材料的整體粘合，該主涂層材料被 定義為完全覆蓋在該底層涂層的所有金屬組分上。

2.根據權利要求1所述的處理室本體，其中該主涂層材料隔絕該 底層涂層的金屬組分及該金屬基底材料與該捕獲的溢出的流 體的元素間的反應。

3.根據權利要求2所述的處理室本體，其中該隔絕是由該主涂層 材料的惰性塑料特性定義的。

4.根據權利要求1所述的處理室本體，其中該主涂層材料具有大 約90(Rockwell?R)或75(Shore?D)之間的硬度系數。

5.根據權利要求4所述的處理室本體，其中該硬度系數提供了該 主涂層材料的可機械加工的表面。

6.根據權利要求1所述的處理室本體，其中該底層涂層包含的組 分包括鈦、鋁、硅、碳、氯、氧和氟。

7.根據權利要求1所述的處理室本體，其中該主涂層包含的組分 包括碳、氯和氟。

8.根據權利要求1所述的處理室本體，其中該處理室本體大約 60英寸長，21英寸寬。

9.根據權利要求1所述的處理室本體，其中該處理室本體是由多 個處理室本體元件組裝起來的。

10.一種制造處理室本體的方法，該處理室本體被用于至少部分容 納半導體處理設備，并被用于捕獲基板處理產生的任意溢出的 流體，該方法包括：

(a)使用基底材料形成該處理室本體，該處理室本體由至 少一個下表面和與該下表面一體連接的側壁表面定義，以能夠 捕獲該處理室本體上方的基板處理期間溢出的流體，該基底材 料是金屬的；

(b)針對底層涂層材料對該處理室本體進行預處理以促成 對該底層涂層材料的穩定粘合表面；

(c)將該底層涂層材料涂裝在該基底材料上并覆蓋該基底 材料，該底層涂層材料具有金屬組分和非金屬組分，該金屬組 分能夠與該基底材料形成粘合；

(d)固化該底層涂層材料至一個在尺寸上穩定的硬度；

(e)針對主涂層材料對該處理室本體進行預處理以促成對 該主涂層材料的穩定粘合表面；

(f)將該主涂層材料涂裝在該底層涂層材料上并覆蓋該底 層涂層材料，該主涂層材料由非金屬組分定義，該主涂層材料 的非金屬組分能夠與該底層涂層材料形成整體粘合，該主涂層 材料完全覆蓋該底層涂層；及

(g)固化該主涂層材料至一個在尺寸上穩定的硬度，

其中該固化好的主涂層材料隔絕該底層涂層的該金屬組 分與該捕獲的溢出的流體的元素之間的反應。

11.根據權利要求10所述的制造處理室本體的方法，其中該隔絕 是由該主涂層材料的惰性塑料特性定義的。

12.根據權利要求10所述的制造處理室本體的方法，其中該主涂 層材料被固化為具有大約90(Rockwell?R)或75(Shore?D)的硬 度系數

13.根據權利要求10所述的制造處理室本體的方法，還包括以下 步驟：

從該處理室本體的參考數據表面去除多余的主涂層材 料，使半導體基板處理設備的安裝在合適的誤差內；其中該去 除多余的主涂層材料不影響該主涂層材料的化學抵抗性。