[發(fā)明專利]半導(dǎo)體用膜、半導(dǎo)體用膜的制造方法及半導(dǎo)體裝置

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200780037298.1
• 申請(qǐng)日: 2007-10-04
• 公開（公告）號(hào): CN101523561A
• 公開（公告）日: 2009-09-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 平野孝;佐佐木曉嗣;織田直哉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 住友電木株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/301
• 分類號(hào): H01L21/301;B32B27/00;C09J7/02;C09J201/00
• 代理公司: 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 菅興成

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體用膜、半導(dǎo)體用膜的制造方法及半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

近年來(lái)，隨著電子機(jī)器的高性能化及移動(dòng)用途的擴(kuò)大，加強(qiáng)了對(duì)半導(dǎo)體裝置的高密度化、高集成化的要求，從而不斷推進(jìn)IC封裝件的大容量高密度化。作為該半導(dǎo)體裝置的制造方法，例如，在硅、鉀、砷等構(gòu)成的半導(dǎo)體晶片上貼合粘結(jié)片，用晶片環(huán)固定半導(dǎo)體晶片的周圍并且在切割(Dicing)工序?qū)⑸鲜霭雽?dǎo)體晶片切割分離成各個(gè)半導(dǎo)體元件(單片化)，然后，在擴(kuò)展(Expanding)工序，進(jìn)行單片化的半導(dǎo)體元件的拾取，接下來(lái)，移送到將該半導(dǎo)體元件搭載在金屬引線框或基板(例如，卷帶基板(Tape?Substrate)、有機(jī)硬質(zhì)基板等)上的芯片接合工序(Die?Bonding)。

拾取到的半導(dǎo)體元件，在芯片接合工序中，通過(guò)液狀環(huán)氧粘結(jié)劑等的液狀芯片粘結(jié)(Die?attach)材料粘合在引線框或基板上，從而制造半導(dǎo)體裝置。

為了適用半導(dǎo)體元件的多級(jí)式疊合需要推進(jìn)半導(dǎo)體晶片的薄型化，但是，難以使用現(xiàn)有技術(shù)的芯片接合材料樹脂膏進(jìn)行涂布適量的粘合劑。即，有時(shí)樹脂膏會(huì)從半導(dǎo)體元件溢出或者樹脂膏固化后半導(dǎo)體元件會(huì)發(fā)生彎曲，從而在組裝進(jìn)封裝件時(shí)可靠性降低。另外，樹脂膏的涂布工序繁雜、為了簡(jiǎn)化程序，也要求對(duì)其進(jìn)行改善或改進(jìn)。

為了解決該問(wèn)題，已提出了使用膜狀粘合劑代替液狀芯片粘結(jié)材料作為芯片粘結(jié)材料來(lái)使用的方案，其中，一部分已經(jīng)在使用(例如，參照專利文獻(xiàn)1：JP特開2002-353252號(hào)公報(bào)，專利文獻(xiàn)2：JP特開2002-294177號(hào)公報(bào))。而且，為了縮短工序，也有一部分在使用將粘結(jié)片與膜狀芯片粘結(jié)材料形成一體的粘結(jié)粘合膜。

發(fā)明內(nèi)容

在上述粘結(jié)片與膜狀芯片粘結(jié)材料形成一體的粘結(jié)粘合膜中，預(yù)定在半導(dǎo)體晶片上貼合的部分與預(yù)定在晶片環(huán)上貼合的部分，要求的性能不同。因此，本發(fā)明的目的是，提供一種能夠滿足該兩種不同要求的半導(dǎo)體用膜。

為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明提供下述(1)～(7)。

(1)一種半導(dǎo)體用膜，按照粘合層、第一粘結(jié)層、第二粘結(jié)層的順序進(jìn)行貼合而成，上述第二粘結(jié)層的外周部超過(guò)上述第一粘結(jié)層的外周邊緣，該半導(dǎo)體用膜是用于在上述粘合層的與第一粘結(jié)層相反側(cè)的表面上層疊半導(dǎo)體用晶片并且在上述第二粘結(jié)層的上述外周部上貼合晶片環(huán)切斷該半導(dǎo)體用晶片時(shí)的半導(dǎo)體用膜，其特征在于，上述第一粘結(jié)層相對(duì)于上述粘合層的粘合力A₁(cN/25mm)比上述第二粘結(jié)層相對(duì)于上述晶片環(huán)的粘合力A₂(cN/25mm)低。

(2)如上述(1)所述的半導(dǎo)體用膜，其中，粘合力A₁與粘合力A₂的比(A₂/A₁)為1.2～100。

(3)如上述(1)所述的半導(dǎo)體用膜，其中，粘合力A₁為10～80cN/25mm。

(4)如上述(1)所述的半導(dǎo)體用膜，其中，粘合力A₂為100～1000cN/25mm。

(5)如上述(1)所述的半導(dǎo)體用膜，其中，上述粘合層相對(duì)于上述半導(dǎo)體用晶片的粘合力A₃(cN/25mm)比上述粘合力A₁(cN/25mm)大。

(6)如上述(1)所述的半導(dǎo)體用膜，其中，上述粘合層具有脫模膜。

(7)一種半導(dǎo)體用膜的制造方法，其是在第一基材膜上形成上述(1)所述的半導(dǎo)體用膜的半導(dǎo)體用膜的制造方法，其特征在于，具有：以上述粘合層與上述第一粘結(jié)層相鄰接的方式，對(duì)由上述第一基材膜與上述粘合層層疊而成的粘合層中間體和上述第一粘結(jié)層進(jìn)行層疊，從而得到第一層疊體的工序；對(duì)于上述層疊體以保留上述第一基材膜的方式除去上述粘合層和上述第一粘結(jié)層的有效區(qū)域的外周的工序；以第二基材膜上層疊上述第二粘結(jié)層而成的第二粘結(jié)層中間體的第二粘結(jié)層與上述第一粘結(jié)層相鄰接的方式進(jìn)行層疊的工序。

(8)一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，使用上述(1)所述的半導(dǎo)體用膜制造而成。

附圖說(shuō)明

圖1是表示半導(dǎo)體用膜的一例的剖面圖。

圖2是表示半導(dǎo)體用膜的一例的剖面圖。

圖3是表示半導(dǎo)體用膜的制造工序的剖面圖。

圖4是表示半導(dǎo)體用膜的制造工序的剖面圖。

圖5是表示半導(dǎo)體用膜的其它的制造工序的剖面圖。

圖6是表示半導(dǎo)體元件的制造工序的示意圖。

具體實(shí)施方式

下面對(duì)本發(fā)明的半導(dǎo)體用膜以及半導(dǎo)體裝置進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明。