[發明專利]加工終點檢測方法、研磨方法及研磨裝置有效
| 申請號: | 200780037289.2 | 申請日: | 2007-10-05 |
| 公開(公告)號: | CN101523565A | 公開(公告)日: | 2009-09-02 |
| 發明(設計)人: | 清水展;大田真朗;丸山浩二;小林洋一;三谷隆一郎;中井俊輔;重田厚 | 申請(專利權)人: | 株式會社荏原制作所;株式會社東芝 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;B24B37/04 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 | 代理人: | 胡建新 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 加工 終點 檢測 方法 研磨 裝置 | ||
1.一種加工終點檢測方法,根據使用反射光的分光波形算出的被加工 面的特性值,檢測加工終點,該反射光通過在被加工物的被加工面上照射 光而得到,其特征在于,
生成表示基準被加工物的加工終點上的反射強度與波長的關系的分光 波形;
基于上述分光波形,選擇反射強度分別成為極大值或極小值的多個波 長;
用上述多個波長上的反射強度的總和去除上述多個波長中的第一波長 的反射強度,從而計算出特性值;
將上述基準被加工物的加工終點上的上述特性值的時間變化的特征點 設定為加工終點;
在被加工物的加工中,用上述多個波長上的反射強度的總和去除上述 第一波長的反射強度,從而計算出特性值;
在上述被加工物的加工中檢測上述特征點從而檢測上述被加工物的加 工終點。
2.如權利要求1所述的加工終點檢測方法,其特征在于,
求出上述基準被加工物的加工時間內的各波長的平均反射強度;
用上述平均反射強度去除上述基準被加工物的加工終點上的反射強 度,從而生成基準分光波形;
基于上述基準分光波形進行上述多個波長的選擇。
3.如權利要求1所述的加工終點檢測方法,其特征在于,
使上述選擇的多個波長向前后的波長偏移。
4.如權利要求1所述的加工終點檢測方法,其特征在于,
上述第一波長上的反射強度是將具有以上述第一波長為中心的權重的 加權函數,乘以上述第一波長的反射強度進行積分而求出的;
上述多個波長的反射強度是將具有分別以上述多個波長為中心的權重 的加權函數,乘以上述多個波長的反射強度進行積分而求出的。
5.一種加工終點檢測方法,根據使用反射光的分光波形算出的被加工 面的特性值,檢測加工終點,該反射光通過在被加工物的被加工面上照射 包括多波長的光而得到,其特征在于,
生成表示基準被加工物的加工終點上的反射強度與波長的關系的分光 波形;
求出上述基準被加工物的加工時間內的各波長的平均反射強度;
用上述平均反射強度去除上述分光波形,從而生成基準分光波形, 基于上述基準分光波形,選擇反射強度分別成為極大值或極小值的多 個波長;
用上述基準被加工物的平均反射強度去除反射光的分光波形的反射強 度,從而得到新的基準分光波形,上述反射光是在被加工物的加工中照射 包括多波長的光而得到的;
基于上述新的基準分光波形,用上述多個波長上的反射強度的總和去 除上述多個波長中的第一波長上的反射強度,從而計算出特性值;
通過檢測上述被加工物的加工中的上述特性值的時間變化的特征點, 從而檢測上述被加工物的加工終點。
6.一種加工裝置,其特征在于,具有:
光源,將光照射在被加工物的被加工面上;
受光部,接收來自上述被加工面的光;
分光器單元,對在上述受光部中接收的光進行分光,并轉換為電信息; 以及
運算部,對來自上述分光器單元的電信息進行運算;
上述運算部求出基準被加工物的加工時間內的各波長的平均反射強 度,用上述平均反射強度去除上述基準被加工物的加工終點的反射強度, 從而生成基準分光波形,基于上述基準分光波形,選擇反射強度分別成為 極大值或極小值的多個波長,
用上述多個波長上的反射強度的總和去除上述多個波長中的第一波長 上的反射強度,從而計算出特性值;
將上述基準被加工物的加工終點上的上述特性值的時間變化的特征點 設定為加工終點;
在被加工物的加工中、用上述多個波長上的反射強度的總和去除上述 第一波長的反射強度,從而計算出特性值;
通過檢測上述被加工物的加工中的上述特性值的特征點,從而檢測上 述被加工物的加工終點。
7.如權利要求6所述的加工裝置,其特征在于,
使上述選擇的多個波長向前后的波長偏移。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





