[發明專利]平面光波長選擇濾波器及制造方法

有效

• 申請號: 200780037065.1
• 申請日: 2007-10-04
• 公開（公告）號: CN101523672A
• 公開（公告）日: 2009-09-02
• 發明（設計）人: 馬庫斯·里斯特;西格弗里德·蓬格拉茨;安德烈亞斯·沙勒
• 申請（專利權）人: 摩托羅拉公司
• 主分類號: H01S3/08
• 分類號: H01S3/08
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 劉光明;穆德駿

1.一種平面光波長選擇濾波器，包括：

印刷電路襯底；

包括第一低光損耗聚合物的緩沖層，設置在所述印刷電路襯底的 主表面上；

包括第二低光損耗聚合物的波導層，設置在所述緩沖層上；

形成在所述波導層中的腔；

形成在所述波導層中的三個或多于三個波導，每個所述波導的一 端耦合到所述腔的第一端，每個所述波導的第二端位于所述腔的第二 相對端；

包括第三低光損耗聚合物的上包覆層，直接設置在所述波導層上 和所述腔的一部分中；以及

位于所述腔中所述腔的第二相對端處的衍射光柵，使得進入所述 腔的第一端且通過一個波導的光被所述衍射光柵充分衍射而離開所述 腔的第二端并傳播通過一個或多個其它波導。

2.根據權利要求1中所述的裝置，其中從由以下各項組成的組中 選擇所述低光損耗聚合物：丙烯酸酯、硅氧烷、聚酰亞胺、聚碳酸酯、 混合無機-有機聚合物、和烯烴。

3.根據權利要求2中所述的裝置，其中所述低光損耗聚合物包括 以下聚合物：該聚合物是有機官能化的烷氧基硅烷的水解和縮聚反應 的反應產物。

4.根據權利要求1中所述的裝置，其中所述第一和第三低損耗光 聚合物具有相似的折射率。

5.根據權利要求1中所述的裝置，其中所述平面波長選擇濾波器 是用于1310、1490和1550納米頻率的三向復用器。

6.根據權利要求1中所述的裝置，其中所述腔還形成在所述上包 覆層中。

7.根據權利要求1中所述的裝置，其中所述第二低損耗光聚合物 的折射率比所述第一和第三低損耗光聚合物的折射率高。

8.一種制造平面光波長選擇濾波器的方法，包括：

提供印刷電路襯底；

在所述印刷電路襯底的主表面上淀積緩沖層，所述緩沖層包括第 一低光損耗聚合物；

在所述緩沖層上淀積波導層，所述波導層包括第二低光損耗聚合 物；

在所述波導層中形成自由傳播區域和三個或多于三個波導，每個 所述波導的一端耦合到所述自由傳播區域；

用第三低光損耗聚合物填充所述自由傳播區域并覆蓋所述波導 層；

在所述第三低光損耗聚合物中形成腔，所述腔容納衍射光柵；以 及

在所述腔中提供所述衍射光柵，使得經由一個波導傳輸到所述衍 射光柵的光被充分衍射而離開其所進入的所述腔的相對端并傳播通過 另一波導。

9.根據權利要求8中所述的方法，其中通過激光燒蝕手段形成所 述腔。

10.根據權利要求8中所述的方法，其中通過光刻手段形成所述 自由傳播區域和所述波導。

11.根據權利要求8中所述的方法，其中所述自由傳播區域也形 成在所述緩沖層中。

12.根據權利要求8中所述的方法，其中從由以下各項組成的組 中選擇所述低光損耗聚合物：丙烯酸酯、硅氧烷、聚酰亞胺、聚碳酸 酯、混合無機-有機聚合物、和烯烴。

13.根據權利要求12中所述的方法，其中所述低光損耗聚合物包 括以下聚合物：該聚合物是有機官能化的烷氧基硅烷的水解和縮聚反 應的反應產物。

14.根據權利要求8中所述的方法，其中所述第二低損耗光聚合 物的折射率與所述第一和第三低損耗光聚合物的折射率不同。

15.一種制造平面光波長選擇濾波器的方法，包括：

提供印刷電路襯底；

在所述印刷電路襯底的主表面上淀積緩沖層，所述緩沖層包括第 一低光損耗聚合物，所述第一低光損耗聚合物是有機官能化的烷氧基 硅烷的水解和縮聚反應的反應產物；

在所述緩沖層上淀積波導層，所述波導層包括低光損耗聚合物， 所述低光損耗聚合物具有不同于所述第一低光損耗聚合物的折射率；

在所述波導層和所述緩沖層中形成自由傳播區域，并且通過光刻 手段在所述波導層中形成三個或多于三個波導，每個所述波導的一端 耦合到所述自由傳播區域；

用具有不同于所述波導層的折射率的低光損耗聚合物填充所述自 由傳播區域并且覆蓋所述波導層；

通過激光燒蝕手段形成腔，所述腔足夠容納衍射光柵，使得經由 一個波導傳輸到所述衍射光柵的光被充分衍射以便離開其所進入的所 述腔的相對端并傳播通過另一波導；以及

在所述腔中提供所述衍射光柵。