[發(fā)明專利]半導(dǎo)體外延結(jié)晶基板的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200780034062.2
• 申請日: 2007-09-14
• 公開（公告）號: CN101517715A
• 公開（公告）日: 2009-08-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 佐澤洋幸;西川直宏;秦雅彥
• 申請（專利權(quán)）人: 住友化學(xué)株式會(huì)社
• 主分類號: H01L21/316
• 分類號: H01L21/316;H01L21/338;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/812
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 朱 丹

1.一種半導(dǎo)體外延結(jié)晶基板的制造方法，向通過有機(jī)金屬氣相生長法生長的氮化物半導(dǎo)體結(jié)晶層表面，賦與構(gòu)成鈍化膜或柵極絕緣膜并具有非結(jié)晶形的氮化物電介質(zhì)或氧化物電介質(zhì)的電介質(zhì)層，其中，

在外延生長爐內(nèi)使所述氮化物半導(dǎo)體結(jié)晶層生長之后，直接在該外延生長爐內(nèi)使所述電介質(zhì)層與所述氮化物半導(dǎo)體結(jié)晶層連續(xù)生長。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體外延結(jié)晶基板的制造方法，其中，

使用有機(jī)金屬作為金屬原料，使用乙醚或水作為氧原料，使用氨作為氮原料，并利用有機(jī)金屬氣相生長法使電介質(zhì)層生長。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體外延結(jié)晶基板的制造方法，其中，

電介質(zhì)層的至少一部分的生長為邊供給作為5族原料的氨邊進(jìn)行。

4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的半導(dǎo)體外延結(jié)晶基板的制造方法，其中，

電介質(zhì)層的至少一部分的生長通過使用氮作為載氣來進(jìn)行。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體外延結(jié)晶基板的制造方法，其中，

電介質(zhì)層包括從AlO_x、AlO_x∶N(0.5＜x＜1.5)、SiO₂、SiO₂∶N、Ga₂O₃、Si₃N₄、HfO₂、Hf_xAl_yO₃(0＜x＜1、y＝2-1/2x)、Hf_xAl_yO₃∶N(0＜x＜1、y＝2-1/2x)、GdO、ZrO₂、MgO、Ta₂O₅中選擇的至少一種電介質(zhì)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體外延結(jié)晶基板的制造方法，其中，

電介質(zhì)層包括從Al₂O₃、Al₂O₃∶N、SiO₂、SiO₂∶N、Ga₂O₃、Si₃N₄、HfO₂、Hf_xAl_yO₃(0＜x＜1、y＝2-1/2x)、Hf_xAl_yO₃∶N(0＜x＜1、y＝2-1/2x)、GdO、ZrO₂、MgO、Ta₂O₅中選擇的至少一種電介質(zhì)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體外延結(jié)晶基板的制造方法，其中，

半導(dǎo)體外延結(jié)晶基板用于場效應(yīng)晶體管。