[發明專利]最小化CD蝕刻偏差的方法

有效

• 申請號: 200780029905.X
• 申請日: 2007-08-07
• 公開（公告）號: CN101501568A
• 公開（公告）日: 2009-08-05
• 發明（設計）人: 賈森·普盧姆霍夫;蘇尼爾·斯里尼瓦桑;大衛·約翰遜;魯塞爾·韋斯特曼
• 申請（專利權）人: 奧立孔美國公司
• 主分類號: G03F1/08
• 分類號: G03F1/08
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 郇春艷;樊衛民

1.一種用于在薄膜上具有圖案化的蝕刻掩模的光刻基板的等離 子體蝕刻工藝期間改善臨界尺寸性能的方法，其包括：

將所述光刻基板放置在真空室中的支撐構件上；

將工藝氣體引入到所述真空室中，至少一部分所述工藝氣體以與 所述光刻基板共面地被引入；

使用第一組工藝條件將鈍化膜沉積到所述光刻基板上的所述圖案 化的蝕刻掩模的非水平表面和水平表面上，所述第一組工藝條件包括 使用引入的所述工藝氣體和引入的所述共面工藝氣體部分；

使用第二組工藝條件從所述光刻基板上所述圖案化的蝕刻掩模的 水平表面清除所述沉積的鈍化膜，同時一些所述沉積的鈍化膜保持在 所述圖案化的蝕刻掩模的至少一些所述非水平表面上；

使用第三組工藝條件蝕刻所述光刻基板的清除過的水平表面；

使用原位計量監視所述圖案化的蝕刻掩模的臨界尺寸性能；以及

基于所述監視步驟，原位調整所述沉積步驟，以獲得期望的臨界 尺寸性能。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述鈍化膜被非共形地沉積 到所述光刻基板上。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述鈍化膜由含碳氣體、含 硅氣體和含硫氣體沉積形成。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述鈍化膜包含聚合物基膜。

5.根據權利要求4所述的方法，其中所述聚合物基膜由含烴氣體 沉積形成。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述光刻基板的所述清除過 的水平表面的所述蝕刻是各向異性的。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述光刻基板的所述清除過 的水平表面包含所述薄膜。

8.根據權利要求7所述的方法，其中所述薄膜至少部分透射光。

9.根據權利要求7所述的方法，其中所述薄膜包含鉻。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述光刻基板的所述清除 過的水平表面包含硅。

11.根據權利要求1所述的方法，其還包括；

預先確定沉積工藝的臨界尺寸性能；

預先確定第一蝕刻工藝的臨界尺寸性能；

預先確定第二蝕刻工藝的臨界尺寸性能；

基于所述沉積工藝步驟預先確定的臨界尺寸性能，選擇第一組工 藝條件；

基于所述第一蝕刻工藝步驟預先確定的臨界尺寸性能，選擇第二 組工藝條件；以及

基于所述第二蝕刻工藝步驟預先確定的臨界尺寸性能，選擇第三 組工藝條件。