[發明專利]LED半導體本體

無效

• 申請號: 200780028579.0
• 申請日: 2007-07-27
• 公開（公告）號: CN101496187A
• 公開（公告）日: 2009-07-29
• 發明（設計）人: G·格羅寧格;C·瓊;P·海德博恩;A·貝雷斯
• 申請（專利權）人: 奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 李少丹;劉春元

1.一種LED半導體本體(1)，具有半導體層序列，該半導體層序 列包括為產生非相干的輻射而設計的量子結構(2)，該量子結構帶有 至少一個量子層(3)和至少一個勢壘層(4)，其中所述量子層(3) 和勢壘層(4)以彼此相反的符號而應變。

2.根據權利要求1所述的LED半導體本體，其中所述LED半導體 本體(1)實施為薄膜半導體本體。

3.根據權利要求1或2所述的LED半導體本體，其中所述量子層 (3)是壓應變的而所述勢壘層(4)是張應變的。

4.根據權利要求1至3中的至少一項所述的LED半導體本體，其 中所述勢壘層(4)的應變在數值上小于所述量子層(3)的應變。

5.根據權利要求4所述的LED半導體本體，其中所述勢壘層(4) 的應變的數值是在所述量子層(3)的應變的數值的0.2至0.67倍之間 的值，其中包含端點值，優選的是在0.33至0.5倍之間的值，其中包含 端點值。

6.根據權利要求1至5中的至少一項所述的LED半導體本體，其 中所述勢壘層(4)的厚度與所述量子層(3)的厚度的比例大于或等于 1，優選大于或等于1.5，特別優選的是大于或等于2.5。

7.根據權利要求1至6中的至少一項所述的LED半導體本體，其 中所述勢壘層(4)的厚度為5nm或更大，優選為10nm或更大，特別 優選為20nm或更大。

8.根據權利要求1至7中的至少一項所述的LED半導體本體，其 中所述量子層(3)包含In_yGa_1-yAs，其中0≤y≤0.5，優選的是0.05≤y≤0.3， 特別優選的是0.1≤y≤0.2。

9.根據權利要求1至8中的至少一項所述的LED半導體本體，其 中所述應變的勢壘層(4)包含Al_xGa_1-xAs_1-zP_z，其中0.01≤x≤1，優選的 是0.1≤x≤0.6，特別優選的是0.2≤x≤0.4和/或0.01≤z≤0.5，優選的是 0.03≤x≤0.3，特別優選的是0.05≤x≤0.2。

10.根據權利要求1至9中的至少一項所述的LED半導體本體，其 中所述量子結構(2)具有另外的量子層(3)和另外的勢壘層(4)， 并且所述另外的量子層(3)和另外的勢壘層(4)同樣以彼此相反的符 號應變。

11.根據權利要求10所述的LED半導體本體，其中所述另外的量 子層(3)和/或另外的勢壘層(4)根據權利要求3至9中的特征的至少 之一來實施。

12.根據權利要求10或11所述的LED半導體本體，其中應變的量 子層(3)和應變的勢壘層(4)在量子結構(2)中以交替的順序相疊 設置。

13.根據權利要求1至12中的至少一項所述的LED半導體本體， 其中所述量子結構(2)的平均應變為2000ppm或者更小，優選為 1000ppm或者更小，特別優選為500ppm或者更小。

14.根據權利要求1至13中的至少一項所述的LED半導體本體， 其中所述半導體本體(1)設置在承載體(70)上。

15.根據權利要求14所述的LED半導體本體，其中所述承載體(70) 與所述半導體本體(1)的生長襯底不同。

16.根據權利要求14或15所述的LED半導體本體，其中在所述承 載體(70)和所述半導體本體(1)之間設置有反射層(72)。

17.根據權利要求16所述的LED半導體本體，其中所述反射層(72) 以金屬方式實施。

18.根據權利要求1至17中的至少一項所述的LED半導體本體， 其中所述量子結構(2)被設計用于產生輻射，所述輻射的峰值波長在 750nm至1050nm的波長范圍中，其中包含端點值。