[發明專利]貝努利棒

無效

• 申請號: 200780027701.2
• 申請日: 2007-06-08
• 公開（公告）號: CN101496159A
• 公開（公告）日: 2009-07-29
• 發明（設計）人: J·P·李哲思
• 申請（專利權）人: ASM美國公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 趙蓉民

1.一種半導體晶片處理設備，其包括：

高溫的基本透明的頭部，其被配置為傳送具有200mm或更小的直徑的晶片，所述頭部具有至少一個氣體出口，該氣體出口被布置成以引導氣流以一種方式抵頂所述晶片，從而利用貝努利效應支撐所述晶片，其中所述頭部被配置為安置在整體晶片之上；以及

細長的高溫材料透明頸，其具有第一端和第二端，所述頸被配置為在所述第一端連接到機械臂并在所述第二端連接到所述頭部，其中所述頭部與所述頸流體連通。

2.根據權利要求1所述的半導體晶片處理設備，其中所述頭部具有大約200mm±5mm的直徑。

3.根據權利要求1所述的半導體晶片處理設備，其中所述至少一個氣體出口成一定角度以引導氣體越過所述晶片的上表面并向外流到所述晶片的外圍，從而在所述晶片之上產生一壓力，該壓力小于所述晶片之下的壓力。

4.根據權利要求1所述的半導體晶片處理設備，其中所述頸被連接到氣體供給源。

5.根據權利要求1所述的半導體晶片處理設備，其中所述頭部是由石英形成的。

6.根據權利要求1所述的半導體晶片處理設備，其中所述頭部是基本圓形的。

7.根據權利要求1所述的半導體晶片處理設備，其中所述頭部和所述頸包括石英。

8.一種半導體處理工具，其包括：

處理室；

臺架，其具有多個垂直堆疊的晶片槽；以及

高溫的基本透明的晶片處理設備，其具有頭部，該頭部被配置為從上面以基本非接觸的方式支撐具有200mm或更小的直徑的晶片，其中所述頭部被配置為安置在基本整個晶片之上，其中所述晶片處理設備被配置為在所述臺架中存取所述晶片并傳送所述晶片到所述處理室。

9.根據權利要求8所述的半導體處理工具，其中所述槽的節距為至少大約0.1875英寸。

10.根據權利要求8所述的半導體處理工具，其中所述臺架具有至少兩個槽。

11.根據權利要求8所述的半導體處理工具，其中所述晶片處理設備被連接到氣體供應源并被配置為沿著所述晶片的上表面產生氣流，以在所述晶片的上表面與所述晶片的較低表面之間產生壓力差。

12.根據權利要求11所述的半導體處理工具，其中所述壓力差產生升力，該升力在所述晶片處理設備的所述頭部之下支撐所述晶片。

13.根據權利要求8所述的半導體處理工具，其中所述晶片處理設備是由石英形成的。

14.根據權利要求8所述的半導體處理工具，其中所述頭部包括多個氣體出口。

15.根據權利要求8所述的半導體處理工具，其進一步包括負載鎖定室和晶片處理室，其中所述晶片處理室被連接到所述負載鎖定室和所述處理室，其中所述晶片處理設備位于所述晶片處理室內，且所述臺架位于所述負載鎖定室內。

16.根據權利要求8所述的半導體處理工具，其中所述晶片處理設備被配置為根據貝努利原理傳送所述晶片。

17.根據權利要求8所述的半導體處理工具，其中所述頭部是基本平坦的，并具有大約200mm±5mm的直徑。

18.一種半導體襯底處理設備，其包括：

石英頭部，其被配置為位于具有200mm或更小直徑的襯底的整個上表面之上，其中所述頭部被配置為通過利用貝努利原理支撐所述襯底；以及

細長的石英頸部，其與所述頭部流體連通。

19.根據權利要求18所述的半導體襯底處理設備，其中所述頭部被配置為以一種方式提供氣體以在所述晶片的所述上表面之上產生低壓區，由此朝向所述頭部吸取所述晶片。

20.根據權利要求18所述的半導體襯底處理設備，其中所述頭部是基本圓形的。

21.根據權利要求18所述的半導體襯底處理設備，其中所述頭部包括至少一個氣體出口，該氣體出口被配置為引導氣流抵頂所述晶片的所述上表面。

22.根據權利要求21所述的半導體襯底處理設備，其中所述至少一個氣體出口被連接到所述頭部中的至少一個氣體通道。