[發(fā)明專利]經(jīng)結(jié)構(gòu)控制的碳納米壁以及碳納米壁的結(jié)構(gòu)控制方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200780026311.3
• 申請日: 2007-07-25
• 公開（公告）號: CN101489926A
• 公開（公告）日: 2009-07-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 堀勝;平松美根男;加納浩之;杉山徹;濱雄一郎
• 申請（專利權(quán)）人: 豐田自動車株式會社
• 主分類號: C01B31/02
• 分類號: C01B31/02;B01J32/00;B01J21/18;H01M4/96
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所
• 代理人: 段承恩;田 欣

1.一種碳納米壁的結(jié)構(gòu)控制方法，其特征在于，將基板溫度設(shè)為970℃，腔室內(nèi)壓力設(shè)為800mTorr，基板材質(zhì)設(shè)為硅，等離子發(fā)生源輸出設(shè)為13.56MHz、100W，在反應(yīng)室的至少一部分中形成將至少以碳為構(gòu)成元素的碳源氣體等離子化而成的等離子氣氛，同時(shí)向該等離子氣氛中注入在該氣氛的外部由H₂氣體生成的氫自由基，使兩者進(jìn)行反應(yīng)，在配置于該反應(yīng)室中的基材的表面形成碳納米壁的碳納米壁制造方法中，使該H₂氣體與該碳源氣體的導(dǎo)入量比，即H₂氣體導(dǎo)入摩爾量/碳源氣體導(dǎo)入摩爾量為0.5-1.8，來控制生成的碳納米壁的表面積。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳納米壁的結(jié)構(gòu)控制方法，其特征在于，通過向所述H₂氣體照射選自微波、UHF波、VHF波和RF波中的一種以上的波、和/或使H₂氣體與被加熱了的催化劑金屬接觸，由H₂氣體生成氫自由基。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的碳納米壁的結(jié)構(gòu)控制方法，其特征在于，所述碳源氣體至少將碳和氫作為構(gòu)成元素。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的碳納米壁的結(jié)構(gòu)控制方法，其特征在于，所述碳源氣體至少將碳和氟作為構(gòu)成元素。

5.一種碳納米壁的結(jié)構(gòu)控制方法，其特征在于，將基板溫度設(shè)為970℃，腔室內(nèi)壓力設(shè)為800mTorr，基板材質(zhì)設(shè)為硅，等離子發(fā)生源輸出設(shè)為13.56MHz、100W，在反應(yīng)室的至少一部分中形成將至少以碳為構(gòu)成元素的碳源氣體等離子化而成的等離子氣氛，同時(shí)向該等離子氣氛中注入在該氣氛的外部由H₂氣體生成的氫自由基，使兩者進(jìn)行反應(yīng)，在配置于該反應(yīng)室中的基材的表面形成碳納米壁的碳納米壁制造方法中，使該H₂氣體與該碳源氣體的導(dǎo)入量比，即H₂氣體導(dǎo)入摩爾量/碳源氣體導(dǎo)入摩爾量為0.5-1.8，使H₂氣體導(dǎo)入量為2.5sccm/cm²-平行平板電極面積以上，來控制生成的碳納米壁的表面積和結(jié)晶性。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的碳納米壁的結(jié)構(gòu)控制方法，其特征在于，通?過向所述H₂氣體照射選自微波、UHF波、VHF波和RF波中的一種以上的波、和/或使H₂氣體與被加熱了的催化劑金屬接觸，由H₂氣體生成氫自由基。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的碳納米壁的結(jié)構(gòu)控制方法，其特征在于，所述碳源氣體至少將碳和氫作為構(gòu)成元素。

8.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的碳納米壁的結(jié)構(gòu)控制方法，其特征在于，所述碳源氣體至少將碳和氟作為構(gòu)成元素。?