[發(fā)明專利]成膜裝置以及成膜方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200780025842.0 | 申請日： | 2007-11-29 |
| 公開（公告）號： | CN101490809A | 公開（公告）日： | 2009-07-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 森崎英介;小林洋克;原島正幸 | 申請（專利權(quán)）人： | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/205 | 分類號： | H01L21/205;C23C16/46 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 龍 淳 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 裝置 以及 方法 | ||
1.一種成膜裝置，其特征在于，包括：
內(nèi)部維持在減壓空間，并且被供給有成膜氣體的處理容器；
設(shè)置在所述處理容器的內(nèi)部、用于保持基板的基板保持部；和
由含有高熔點金屬和碳的化合物構(gòu)成、設(shè)置在所述處理容器的內(nèi)部、用于加熱所述基板的加熱器，
使用所述成膜氣體在所述基板上形成以Si和C為主要成分的膜。
2.如權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其特征在于：
所述化合物以TaC為主要成分。
3.如權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其特征在于：
所述成膜氣體包括以CxHy表示的氣體，其中，x、y為整數(shù)。
4.如權(quán)利要求3所述的成膜裝置，其特征在于：
所述加熱器構(gòu)成為能夠使所述加熱器的溫度為1500℃以上。
5.如權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其特征在于：
所述加熱器具有多個部分，該多個部分各自的溫度被獨立地控制。
6.如權(quán)利要求5所述的成膜裝置，其特征在于：
所述多個部分中的至少兩個部分沿著所述成膜氣體的流動配置。
7.如權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其特征在于：
所述加熱器包括：含有高熔點金屬和碳的陶瓷主體；和埋設(shè)于所述陶瓷主體中的發(fā)熱體。
8.如權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其特征在于：
所述加熱器由含有高熔點金屬和碳的化合物涂敷埋設(shè)有發(fā)熱體的母體而形成。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
