[發明專利]無定形碳膜的后處理方法

無效

• 申請號: 200780025512.1
• 申請日: 2007-07-04
• 公開（公告）號: CN101484984A
• 公開（公告）日: 2009-07-15
• 發明（設計）人: 石川拓
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/316
• 分類號: H01L21/316
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種無定形碳膜的后處理方法，其特征在于，其是在基板上成膜后施加了伴隨在非氧化性氛圍中的加熱處理的無定形碳膜的進一步的后處理方法，

其在進行伴隨在非氧化性氛圍中的加熱處理后，立即進行防止無定形碳膜氧化的處理。

2.根據權利要求1所述的無定形碳膜的后處理方法，其特征在于，上述防止氧化的處理是使無定形碳膜接觸甲硅烷基化劑的甲硅烷基化處理。

3.根據權利要求2所述的無定形碳膜的后處理方法，其特征在于，通過使上述無定形碳膜的表面接觸甲硅烷基化劑的蒸氣來進行上述甲硅烷基化處理。

4.根據權利要求2或3所述的無定形碳膜的后處理方法，其特征在于，上述甲硅烷基化處理在室溫～200℃范圍的溫度下進行。

5.根據權利要求2或3所述的無定形碳膜的后處理方法，其特征在于，上述甲硅烷基化劑為選自六甲基二硅氮烷、二甲硅基二甲胺、二甲氨基三甲基硅烷、1，1，3，3-四甲基二硅氮烷、1-三甲硅基吡咯、N，O-雙(三甲硅基)三氟乙酰胺、雙(二甲氨基)二甲基硅烷所組成的組中的1種或2種以上。

6.根據權利要求1～3任一項所述的無定形碳膜的后處理方法，其特征在于，上述伴隨在非氧化性氛圍中的加熱處理是退火處理。

7.根據權利要求1～3任一項所述的無定形碳膜的后處理方法，其特征在于，上述伴隨在非氧化性氛圍中的加熱處理是在350℃～400℃下進行的處理。

8.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，具有如下工序：在基板上形成作為層間絕緣膜的無定形碳膜的工序；

對上述無定形碳膜施加伴隨在非氧化性氛圍中的加熱處理的工序；

使上述剛施加了伴隨在非氧化性氛圍中的加熱處理后的無定形碳膜接觸甲硅烷基化劑，施加甲硅烷基化處理的工序；

加熱上述施加了甲硅烷基化處理的無定形碳膜以除去上述甲硅烷基化劑的工序；和

在除去上述甲硅烷基化劑后，迅速在上述無定形碳膜上形成規定的膜的工序。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，通過使上述無定形碳膜的表面接觸甲硅烷基化劑的蒸氣來進行上述甲硅烷基化處理。

10.根據權利要求8或9所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，上述甲硅烷基化處理在室溫～200℃范圍的溫度下進行。

11.根據權利要求8或9所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，上述甲硅烷基化劑為選自六甲基二硅氮烷、二甲硅基二甲胺、二甲氨基三甲基硅烷、1，1，3，3-四甲基二硅氮烷、1-三甲硅基吡咯、N，O-雙(三甲硅基)三氟乙酰胺、雙(二甲氨基)二甲基硅烷所組成的組中的1種或2種以上。

12.根據權利要求8或9所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，上述伴隨在非氧化性氛圍中的加熱處理是退火處理。

13.根據權利要求8或9所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，上述伴隨在非氧化性氛圍中的加熱處理是在350℃～400℃下進行的處理。