[發明專利]防偽全息圖有效
| 申請號: | 200780022402.X | 申請日: | 2007-06-12 |
| 公開(公告)號: | CN101472746A | 公開(公告)日: | 2009-07-01 |
| 發明(設計)人: | P·科伊武庫納斯;H·科索南 | 申請(專利權)人: | 阿萬托尼有限公司 |
| 主分類號: | B44B5/02 | 分類號: | B44B5/02;B31F1/07;B44C1/24;B32B38/06;G03H1/26;B31B1/88 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 | 代理人: | 王玉雙;鄭特強 |
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技術領域。
本發明涉及一種包括衍射微結構區域的產品。本發明還涉及制造該產品 的方法和設備。
背景技術
衍射微結構(Diffractive?microstructure)區域可附著在多種產品上,用 以例如產生視覺效果、或用于鑒別產品。
衍射微結構可以例如通過對涂覆有合適的漆的基底的表面進行壓印而 制成。當制作該微結構時,該基底在壓紋構件與承壓構件(backing?member) 之間被壓印。壓紋構件的表面包括與微結構對應的浮雕(relief)。在壓印加 工過程中,承壓構件從背面支承基底,以便可在基底的表面上施加足夠的壓 力,以使基底的表面層與壓紋構件的浮雕對應地成形。
美國第4,913,858號專利公開了一種用于在涂覆有熱塑性材料的紙張表 面上制作衍射微結構的方法。通過使用加熱的壓紋輥(embossing?roll)在涂 層中形成微結構。
發明內容
本發明的目的在于提出一種制造成本較低的防偽衍射微結構,以及用于 制作所述微結構的設備和方法。
本發明的目的通過一種包括第一衍射微結構區域的產品來實現,其中, 通過壓紋構件和承壓構件在紙或紙板基底的表面層上施加壓印壓力而將該 第一衍射微結構區域壓印在表面層上,其中,第一衍射微結構區域是外露的, 并且第一衍射微結構區域的光柵常數在至少一個位置處為0.4μm至3μm, 該產品包括凸部和/或凹部,該凸部或凹部包括第二衍射微結構區域,其中位 于第一衍射微結構區域與第二衍射微結構區域之間的是雙曲部,其中,該第 一衍射微結構區域和該第二衍射微結構區域具有不同的光柵常數,并且該第 一衍射微結構區域和該第二衍射微結構區域的凸起的高度在50至200nm之 間,該第一衍射微結構區域和該第二衍射微結構區域的高度差在0.2至1mm 之間;以及該第一衍射微結構區域中的柵格結構的取向與該第二衍射微結構 區域中的柵格結構的取向不同。
本發明的目的還通過一種制造根據本發明的、包括衍射微結構區域的產 品的方法實現,該方法包括通過壓紋構件和承壓構件在基底的表面層上施加 壓印壓力將第一衍射微結構區域壓印在表面層上,其中,第一衍射微結構區 域的光柵常數在至少一個位置處為0.4μm至3μm,其中第一衍射微結構區 域保持外露,并且其中基底是紙或紙板;該方法還包括:形成凸部和/或凹部, 使得該凸部或凹部包括第二衍射微結構區域,其中位于該第一衍射微結構區 域與該第二衍射微結構區域之間的是雙曲部,在此,該方法還包括以下步驟:
在該基底的表面層上壓印出處于基本上一個高度水平的微結構區域,以 及
在該一個高度水平下加工處于該基本上一個高度水平的微結構區域,從 而形成凸部和/或凹部,該凸部或凹部包括至少一個雙曲部,
其中,該第一衍射微結構區域和該第二衍射微結構區域的凸起的高度在 50至200nm之間,該第一衍射微結構區域和該第二衍射微結構區域的高度 差在0.2至1mm之間。
本發明的目的還通過一種用于制造根據本發明的產品的設備來實現,該 設備通過壓印方式在紙或紙板基底的表面層上制作第一衍射微結構區域和 第二衍射微結構區域,該設備包括用以在所述表面層上施加壓印壓力的壓紋 構件和承壓構件,其中壓紋構件具有壓印表面,壓印表面具有第一微結構, 第一微結構的光柵常數在至少一個位置處為0.4μm至3μm,壓紋構件還包 括凸部和/或凹部,所述凸部或凹部包括具有微結構的第二壓印表面,其中位 于第一壓印表面與第二壓印表面之間的是雙曲部,該承壓構件還包括凹部或 易變形表面層,該凹部或易變形表面層用以連同凸部而在基底及其表面層中 成形宏觀凹部;并且/或者,所述承壓構件還包括凸部或易變形表面層,該凸 部或易變形表面層用以連同所述凹部而在基底及其表面層中成形宏觀凸部, 其中,在壓印過程中,壓紋構件的加工運動的方向基本上偏離垂直方向,所 述垂直方向與所述第一壓印表面垂直,以及第一衍射微結構區域和第二衍射 微結構區域的凸起的高度在50至200nm之間,該第一衍射微結構區域和該 第二衍射微結構區域的高度差在0.2至1mm之間。
本發明的主要特征在于,產品除了包括壓印在紙或紙板基底上的、外露 的第一衍射微結構區域之外,還包括凸部(bulge)或凹部,該凸部或凹部包 括壓紋的第二衍射微結構區域,其中位于所述第一微結構區域與所述第二微 結構區域之間是雙曲部。
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