[發(fā)明專利]具有再發(fā)光半導體構造和會聚光學元件的LED裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200780021921.4 | 申請日： | 2007-06-11 |
| 公開（公告）號： | CN101467271A | 公開（公告）日： | 2009-06-24 |
| 發(fā)明（設計）人： | 邁克爾·A·哈斯 | 申請（專利權）人： | 3M創(chuàng)新有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信達知識產(chǎn)權代理有限責任公司 | 代理人： | 梁曉廣;關兆輝 |
| 地址： | 美國明*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 再發(fā) 半導體 構造 會聚 光學 元件 led 裝置 | ||
1.一種光源，包括：
a)LED部件，其包括位于pn結內(nèi)的第一勢阱和不位于pn結內(nèi) 的第二勢阱，所述第二勢阱緊鄰吸收層，所述吸收層具有的能帶隙能 量小于由所述第一勢阱發(fā)射的光子的能量而大于所述第二勢阱的躍遷 能，所述LED部件具有發(fā)射表面；以及
b)光學元件，其包括基部、頂端、和連接所述基部與所述頂端 的側面，其中所述基部光學耦合到所述發(fā)射表面并且與所述發(fā)射表面 機械分離。
2.一種光源，包括：
a)LED部件，其包括位于pn結內(nèi)的第一勢阱和不位于pn結內(nèi) 的第二勢阱，所述第二勢阱緊鄰吸收層，所述吸收層具有的能帶隙能 量小于由所述第一勢阱發(fā)射的光子的能量而大于所述第二勢阱的躍遷 能，所述LED部件具有發(fā)射表面；以及
b)光學元件，其包括基部、比所述基部小的頂端、和在所述基 部與所述頂端之間延伸的會聚側面，其中所述基部光學耦合到所述發(fā) 射表面并且尺寸不大于所述發(fā)射表面；其中所述光學元件引導由所述 LED部件發(fā)射的光以生成側發(fā)光圖案。
3.一種光源，包括：
a)LED部件，其包括位于pn結內(nèi)的第一勢阱和不位于pn結內(nèi) 的第二勢阱，所述第二勢阱緊鄰吸收層，所述吸收層具有的能帶隙能 量小于由所述第一勢阱發(fā)射的光子的能量而大于所述第二勢阱的躍遷 能，所述LED部件具有發(fā)射表面；和
b)第一光學元件，其包括基部、頂端、和連接所述基部與所述 頂端的會聚側面，其中所述基部光學耦合到所述發(fā)射表面并且尺寸不 大于所述發(fā)射表面，所述第一光學元件具有第一折射率；以及
c)第二光學元件，其包封所述LED部件和所述第一光學元件， 所述第二光學元件具有低于所述第一折射率的第二折射率。
4.一種光源，包括：
a)LED部件，其包括位于pn結內(nèi)的第一勢阱和不位于pn結內(nèi) 的第二勢阱，所述第二勢阱緊鄰吸收層，所述吸收層具有的能帶隙能 量小于由所述第一勢阱發(fā)射的光子的能量而大于所述第二勢阱的躍遷 能，所述LED部件具有發(fā)射表面；和
b)第一光學元件，其包括基部、頂端、和連接所述基部與所述 頂端的會聚側面，其中所述基部光學耦合到所述發(fā)射表面；以及
c)第二光學元件，其包封所述LED部件和所述第一光學元件， 與由第一光學元件單獨提取的功率相比，所述第二光學元件提供增加 的由LED部件提取的功率。
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