[發(fā)明專利]結(jié)勢壘肖特基整流器及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200780020722.1
• 申請日: 2007-04-03
• 公開（公告）號: CN101467262A
• 公開（公告）日: 2009-06-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 邁克爾·S·馬佐拉;成林
• 申請（專利權(quán)）人: 半南實驗室公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L21/04;H01L29/06;H01L29/24
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 余 朦;王艷春

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

襯底層，其包括第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料；

漂移層，其包括所述第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料，其中所述漂移 層位于所述襯底層上，或者所述漂移層位于緩沖層上，所述緩沖層包 括所述第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料，并且所述緩沖層位于所述襯底層 上；

中央?yún)^(qū)，其包括在所述漂移層的中央部分上的、不同于所述第一 傳導(dǎo)類型的第二傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料的多個區(qū)域，所述第二傳導(dǎo)類 型的半導(dǎo)體材料的所述區(qū)域具有上表面和側(cè)壁；以及

所述第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料的外延過生長漂移區(qū)，其位于與 所述第二傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料的所述多個區(qū)域相鄰的漂移層上，

其中所述第二傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料的所述區(qū)域包括間隔開的、 伸長的多個段，所述多個段具有相對的第一端部和第二端部；以及

其中所述第二傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料的所述區(qū)域進(jìn)一步包括第一 匯流條和第二匯流條，所述第一匯流條將所述伸長的多個段中每一個 的所述第一端部相連，所述第二匯流條將所述伸長的多個段中每一個 的所述第二端部相連。

2.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材 料的外延過生長漂移區(qū)位于所述第二傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料的所述多 個區(qū)域的所述上表面上。

3.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述器件包括所述緩沖層。

4.如權(quán)利要求3所述的器件，其中所述緩沖層的摻雜濃度大于1 ×10¹⁸/cm³，并且/或者所述緩沖層的厚度為0.5μm。

5.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述襯底層、所述漂移層、所 述中央?yún)^(qū)和所述漂移區(qū)的半導(dǎo)體材料均為碳化硅。

6.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材 料是n型半導(dǎo)體材料，并且所述第二傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料是p型半 導(dǎo)體材料。

7.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述漂移層的厚度大于1μm。

8.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述中央?yún)^(qū)的厚度大于0.5μm。

9.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述中央?yún)^(qū)的摻雜濃度大于或 等于1×10¹⁹/cm³。

10.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述襯底層的摻雜濃度大于1 ×10¹⁸/cm³。

11.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述漂移層和所述漂移區(qū)的 摻雜濃度均處于1×10¹⁴/cm³至1×10¹⁷/cm³之間。

12.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述漂移區(qū)的摻雜濃度與所 述漂移層不同。

13.如權(quán)利要求1所述的器件，進(jìn)一步包括位于所述襯底一側(cè)上 的歐姆接觸材料，所述一側(cè)為與漂移層所在側(cè)相反的一側(cè)，還包括位 于所述中央?yún)^(qū)上的歐姆接觸材料。

14.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述第一匯流條和所述第二 匯流條均具有第一寬度，并且其中凸起的所述伸長的多個段具有第二 寬度，所述第二寬度小于所述第一寬度。

15.如權(quán)利要求1所述的器件，其中所述第一匯流條和所述第二 匯流條具有相對的第一端部和第二端部，并且其中所述第一匯流條的 所述第一端部與所述第二匯流條的所述第一端部通過第三匯流條相 連。

16.如權(quán)利要求15所述的器件，其中所述第一匯流條的所述第二 端部與所述第二匯流條的所述第二端部通過第四匯流條相連。

17.如權(quán)利要求13所述的器件，進(jìn)一步包括處于所述歐姆接觸材 料上的金屬層，還包括與所述漂移區(qū)的至少一部分相接觸的肖特基金 屬層。