[發明專利]層間絕緣膜的干式蝕刻方法

有效

• 申請號: 200780018998.6
• 申請日: 2007-05-16
• 公開（公告）號: CN101454878A
• 公開（公告）日: 2009-06-10
• 發明（設計）人: 森川泰宏;鄒紅紅
• 申請（專利權）人: 株式會社愛發科
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01L21/768;H01L23/522
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 陳 昕

1.層間絕緣膜的干式蝕刻方法，其通過包括CF系氣體、含N氣體、和低級烴氣體的蝕刻氣體，一邊在設在層間絕緣膜上的ArF抗蝕劑或KrF抗蝕劑上形成聚合物膜，一邊對層間絕緣膜進行微細加工，其特征在于，

通過在0.5Pa以下的壓力下導入上述蝕刻氣體，并且以蝕刻氣體總流量為基準，導入20～40％上述CF系氣體，由此一邊形成聚合物膜，一邊進行蝕刻；

所述聚合物膜的采用傅立葉變換紅外分光光度計測定的光譜中，在1200cm^-1附近有C-F鍵的峰、在1600cm^-1附近有C-N鍵的峰和在3300cm^-1附近有C-H鍵的峰。

2.權利要求1所述的層間絕緣膜的干式蝕刻方法，其特征在于，以蝕刻氣體總流量為基準，導入21～28％上述CF系氣體。

3.權利要求1所述的層間絕緣膜的干式蝕刻方法，其特征在于，以蝕刻氣體總流量為基準，導入25～27％上述CF系氣體。

4.權利要求1～3任一項所述的層間絕緣膜的干式蝕刻方法，其特征在于，上述CF系氣體是選自CF₄、C₃F₈、C₂F₆、C₄F₈、C₅F₈和C_xF_yI中的至少一種氣體。

5.權利要求1～4任一項所述的層間絕緣膜的干式蝕刻方法，其特征在于，上述低級烴是CH₄、C₂H₆、C₃H₈、C₄H₁₀或C₂H₂。

6.層間絕緣膜的干式蝕刻方法，其通過包括C_xF_yH_z氣體和含N氣體的蝕刻氣體，一邊在設在層間絕緣膜上的ArF抗蝕劑或KrF抗蝕劑上形成聚合物膜，一邊對層間絕緣膜進行微細加工，其特征在于，

通過在0.5Pa以下的壓力下導入上述蝕刻氣體，并且以蝕刻氣體總流量為基準，導入20～40％上述C_xF_yH_z氣體，由此一邊形成聚合物膜，一邊進行蝕刻；

所述聚合物膜的采用傅立葉變換紅外分光光度計測定的光譜中，在1200cm^-1附近有C-F鍵的峰、在1600cm^-1附近有C-N鍵的峰和在3300cm^-1附近有C-H鍵的峰。

7.權利要求6所述的層間絕緣膜的干式蝕刻方法，其特征在于，上述C_xF_yH_z氣體是CHF₃氣體。

8.權利要求1-7任一項所述的層間絕緣膜的干式蝕刻方法，其特征在于，上述含N氣體是選自氮氣、NO_x、NH₃、甲胺、二甲胺中的至少一種氣體。

9.權利要求4所述的層間絕緣膜的干式蝕刻方法，其特征在于，上述C_xF_yI氣體是C₃F₇I氣體或CF₃I氣體。

10.權利要求1-9任一項所述的層間絕緣膜的干式蝕刻方法，其特征在于，上述層間絕緣膜是由SiOCH系材料構成。