[發明專利]集成電路互連

無效

• 申請號: 200780018686.5
• 申請日: 2007-05-22
• 公開（公告）號: CN101449378A
• 公開（公告）日: 2009-06-03
• 發明（設計）人: T·I·卡明斯;P·J·屈克斯
• 申請（專利權）人: 惠普開發有限公司
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L21/98
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 張雪梅;張志醒

1.一種集成電路，在多于一個有源層(22，30；304，320，360)中包 含有源器件(24，32，306，308，322，362，364)，其中至少一個第一有源器 件(324)包括在一個有源層中的第一導體(310)，和在相鄰有源層中的 第一有源元件(332)，其中該至少一個第一導體(310)操作來產生靜 電場控制第一有源元件(332)，并且其中第一有源器件(324)還包括第 一附加導體(333)，操作來產生附加的靜電場控制第一有源元件(332)。

2.如權利要求1所述的集成電路，其中所述一個有源層和所述相 鄰有源層中的一個(30，320，360)被生長或淀積到所述一個有源層和所 述相鄰有源層中的另一個(22，304，320)上。

3.如權利要求1或權利要求2所述的集成電路，其中，第一有源 元件和第一導體構成場效應晶體管(34，324，326)。

4.如權利要求3所述的集成電路，包括至少一個晶體管(326)， 其柵極(366)在位于其溝道(340)之上的有源層(360)中；以及至 少一個晶體管(324)，其柵極(332)在位于其溝道(332)之下的有 源層(304)中。

5.如權利要求1中任何一個所述的集成電路，包括由來自第二導 體(310，366)的靜電場控制的第二有源元件(332，340)，其中，該第 二有源元件所在的有源層(320)與包含第二導體的有源層(304，360) 相鄰。

6.如權利要求1中任何一個所述的集成電路，包括絕緣區域 (28，312，350)，位于包含第一導體(26，310，366)和第一有源元件 (40，332，340)的有源層之間，其中絕緣區域在第一導體和第一有源元 件之間的部分(314，352)被配置來作為所述至少一個第一有源器件的 柵絕緣體，且其中絕緣區域的另一部分(316，354)被配置來，將位于 包含第一導體的有源層(22，304，360)和包含第一有源元件的有源層 (30，320)的至少一個中的有源器件，與那些有源層中的另一個中的導 體的場隔離。

7.如權利要求6所述的集成電路，其中，柵絕緣體(314，352)具 有比絕緣區域的隔離部分(316，354)更高的介電常數。

8.如權利要求6或權利要求7所述的集成電路，其中柵絕緣體 (314，352)比絕緣區域的隔離部分(316，354)薄。

9.一種制造集成電路的方法，包括：

形成(202，402)包括至少一個第一元件(26，310，340)的第一有 源層(22，304，320)，所述第一元件從柵極和溝道構成的組中選擇；

在第一有源層上施加(204，404，406)絕緣區域(28，312，350)； 以及

在絕緣區域上施加(206，408)第二有源層(30，320，360)，包括 至少一個位于所述至少一個第一元件之上的第二元件(40，332，366)， 所述第二元件從溝道和柵極構成的組中選擇；

其中，所述至少一個第一元件(26，310，340)和位于之上的至少一 個第二元件(40，332，366)包括溝道和操作來控制該溝道的柵極，其中 形成第一有源層和第二有源層中包括溝道的有源層還包括形成操作來 控制該溝道的附加柵極。

10.如權利要求9所述的方法，其中施加絕緣區域(28，312，350) 包括，在所述至少一個第一元件(26，310，340)上構造絕緣區域的一部 分，該部分用作柵極和溝道之間的柵絕緣體(314，352)；以及在第一 有源層的至少一個其它區域上構造絕緣區域的一部分(316，354)，該 部分用來減少第一和第二有源層之間的信號傳輸。