[發(fā)明專利]降低存儲器的老化效應

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200780017823.3
• 申請日: 2007-05-16
• 公開（公告）號: CN101449247A
• 公開（公告）日: 2009-06-03
• 發(fā)明（設計）人: N·金;S·-L·盧;C·威爾克森;E·格羅喬夫斯基
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: G06F12/00
• 分類號: G06F12/00;G11C7/10
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 柯廣華;張志醒

技術領域

本發(fā)明一般涉及電子領域，更具體地，本發(fā)明的實施例涉及降低 存儲器的老化效應(aging?effect)。

背景技術

由于改進了集成電路制造技術，半導體制造商能夠將附加功能集 成到單個硅襯底上。然而，由于增加了這些功能的數(shù)量，單個芯片上 的部件數(shù)量也在增加。附加的部件可能增加信號交換，因而產生更多 的熱量。附加熱量可能損壞芯片的各個部件。例如，在P-溝道金屬氧 化物半導體(P-MOS)晶體管隨著時間推移而負偏置時，使用這些晶 體管的存儲器裝置可能例如由于負偏置溫度不穩(wěn)定(negative?bias temperature?instability：NBTI)而受附加熱量的影響。隨著時間推移， 氧化物的退化也可能損害晶體管。

由于存儲器裝置退化，它們的讀或寫穩(wěn)定性可能例如由于其柵極 閾值電壓的漂移而受損害。設計可包含余量(margin)來降低這種退 化的影響，但是這些額外的設計余量可能為提供存儲器裝置而降低性 能和/或增加必需區(qū)域。

附圖說明

參考附圖提供詳細說明。在這些圖中，參考標號的最左邊數(shù)字是 標識該參考標號首次出現(xiàn)的圖。在不同圖中使用相同的參考標號表示 類似或相同項目。

圖1、7和8圖示了可用于實現(xiàn)這里所述的各種實施例的計算系 統(tǒng)的實施例框圖。

圖2圖示了根據(jù)本發(fā)明實施例的處理器核的組成部分的框圖。

圖3圖示了根據(jù)本發(fā)明實施例的高速緩存器(cache)的組成部分 的框圖。

圖4和5圖示了根據(jù)各種實施例的存儲器系統(tǒng)的框圖。

圖6圖示了根據(jù)本發(fā)明實施例對存入和/或讀自存儲單元的數(shù)據(jù) 中的一個或多個位進行修改的方法的實施例流程圖。

具體實施方式

在以下的說明中，為了提供對各種實施例的完全理解，給出了許 多具體細節(jié)。然而，沒有這些具體細節(jié)也可實施某些實施例。在其他 例子中，沒有把眾所周知的方法、過程、部件和電路詳細說明，以免 混淆具體實施例。

這里討論的一些實施例可提供用于降低存儲器老化效應(例如， 由于NBTI和/或氧化物退化而引起)的有效機制。在實施例中，可通 過對在存儲器裝置、例如參考圖1-8所討論的存儲器裝置中使用的交 叉耦合晶體管(其可構成實施例中的反轉器)的柵極上的電壓偏置進 行周期性變換來降低這種效應。更具體來說，圖1圖示了根據(jù)本發(fā)明 實施例的計算系統(tǒng)100的框圖。系統(tǒng)100可包括一個或多個處理器 102-1到102-N(這里一般地稱為“處理器們102”或“處理器102”)。 處理器們102可通過互連或總線104通信。每個處理器可包括各種部 件，為清楚起見參照處理器102-1只對其中一些部件進行討論。相應 地，其余處理器102-2到102-N中的每個可包括參照處理器102-1所 討論的相同或類似部件。

在實施例中，處理器102-1可包括一個或多個處理器核106-1至 106-M(這里稱為“核們106”，或更一般地稱為“核106”)、高速 緩存器108(在各種實施例中可為共享高速緩存器或專享高速緩存器) 和/或路由器110。這些處理器核106可在單個集成電路(IC)芯片上 實現(xiàn)。而且，該芯片可包括一個或多個共享和/或專享高速緩存器(例 如高速緩存器108)、總線或互連(例如總線或互連112)、存儲器 控制器(例如那些參照圖3和7所討論的)或其他部件。

在一種實施例中，路由器110可用于系統(tǒng)100和/或處理器102-1 的各個部件之間的通信。而且，處理器102-1可包括一個以上的路由 器110。而且，該多個路由器(110)可進行通信，以便實現(xiàn)處理器 102-1內部或外部的各個部件之間的數(shù)據(jù)路由。