[發(fā)明專(zhuān)利]用于制造分離彩色濾光片的側(cè)壁間隔物及對(duì)應(yīng)圖像傳感器的方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200780016627.4 | 申請(qǐng)日： | 2007-03-30 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN101438411A | 公開(kāi)（公告）日： | 2009-05-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 里夏德·D·霍爾舍;烏爾里希·C·伯蒂格 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 美光科技公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L27/146 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L27/146;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美國(guó)愛(ài)*** | 國(guó)省代碼： | 美國(guó);US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 制造 分離 彩色 濾光 側(cè)壁 間隔 對(duì)應(yīng) 圖像傳感器 方法 | ||
1.一種形成彩色濾光片陣列的方法，所述方法包含以下步驟：
在像素陣列上形成鈍化層；
在所述鈍化層上形成多個(gè)間隔物，以界定彩色濾光片元件的區(qū)域；以及
在所述間隔物所界定的所述區(qū)域內(nèi)形成多個(gè)所述彩色濾光片元件的圖案。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述鈍化層包含磷硅玻璃、氮化硅及氮氧化物中的一者。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述形成所述間隔物的步驟進(jìn)一步包含：
在所述鈍化層上形成第二層；
圖案化所述第二層以形成暴露所述鈍化層的頂部表面的區(qū)域；
在所述鈍化層及所述經(jīng)圖案化的第二層的頂部上且沿所述經(jīng)圖案化的第二層的側(cè)壁形成第三層；以及
通過(guò)移除所述第三層的部分以露出所述鈍化層的頂部表面及通過(guò)移除所述第二層而從所述第三層形成所述間隔物。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述第二層包含含碳層。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述第二層包含碳。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述第二層包含氧化物、二氧化硅、氮化硅、氮氧化物及正硅酸四乙酯中的一者。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述第二層具有大約1,000到大約20,000的厚度。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述第三層包含不透明材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述第三層吸收入射光。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述第三層反射入射光。
11.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述第三層包含多晶硅。
12.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述第三層包含金屬。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述第三層包含金屬硅化物。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述第三層包含鋁。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述第三層包含金屬合金。
16.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述第三層具有大約500到大約3,000的厚度。
17.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述移除所述第三層的所述部分的步驟包含蝕刻。
18.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其進(jìn)一步包含以下步驟：在像素陣列外部的外圍區(qū)域處在所述鈍化層上形成所述第三層。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述第三層在所述外圍區(qū)域上形成光阻擋物。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述彩色濾光片元件的圖案包含紅色濾光片元件、藍(lán)色濾光片元件及綠色濾光片元件的圖案。
21.一種彩色濾光片陣列，其包含：
彩色濾光片元件陣列，所述彩色濾光片元件通過(guò)形成于每一彩色濾光片元件之間的間隔物而彼此分離。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的彩色濾光片陣列，其中所述彩色濾光片元件進(jìn)一步包含紅色濾光片元件、藍(lán)色濾光片元件及綠色濾光片元件的圖案。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的彩色濾光片陣列，其中每一間隔物包含不透明材料。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的彩色濾光片陣列，其中每一間隔物吸收入射光。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的彩色濾光片陣列，其中每一間隔物反射入射光。
26.根據(jù)權(quán)利要求21所述的彩色濾光片陣列，其中每一間隔物包含多晶硅。
27.根據(jù)權(quán)利要求21所述的彩色濾光片陣列，其中每一間隔物包含金屬。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的彩色濾光片陣列，其中每一間隔物包含金屬硅化物。
29.根據(jù)權(quán)利要求27所述的彩色濾光片陣列，其中每一間隔物包含鋁。
30.根據(jù)權(quán)利要求27所述的彩色濾光片陣列，其中每一間隔物包含金屬合金。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
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