[發明專利]具有絕緣通孔的高效太陽能電池無效
| 申請號: | 200780016606.2 | 申請日: | 2007-03-10 |
| 公開(公告)號: | CN101443921A | 公開(公告)日: | 2009-05-27 |
| 發明(設計)人: | D·洛坤;S·考;J·R·希茨;G·A·米勒 | 申請(專利權)人: | 納米太陽能公司 |
| 主分類號: | H01L31/042 | 分類號: | H01L31/042 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人: | 屠長存 |
| 地址: | 美國加*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 絕緣 高效 太陽能電池 | ||
1.一種裝置,包括:
一種太陽能電池,包括至少一個透明導體、一個光致電壓層和多個通孔。
2.一種裝置,包括:
一種太陽能電池,具有高效后電極配置,其中該太陽能電池包括:至少一個透明導體、一個光致電壓層、至少一個底部電極和至少一個后電極;
多個安裝在該太陽能電池中的透明導體上之導電指狀件;
多個與該導電指狀件相連的填充通孔,其中該填充通孔通過至少一個透明導體、光致電壓層和至少一個底部電極;
其中每個填充通孔有一個將電荷從透明導體傳導至后電極的傳導核心;和
一個將每個填充通孔中的傳導核心與底部電極絕緣的絕緣層。
3.根據權利要求2所述的裝置,其中通過對通孔進行噴霧涂布而形成該絕緣層。
4.根據權利要求2所述的裝置,其中通過使用一種粘性材料而形成該絕緣層。
5.根據權利要求2所述的裝置,其中后導體可與底部電極電氣絕緣,并通過填充通孔而被連接,這些通孔彼此間隔足夠近,從而降低了上部電極的導電率要求,且不再需要以遮蔽母線的面積。
6.根據權利要求2所述的裝置,其中該絕緣層厚度在大約20至大約100微米之間。
7.根據權利要求2所述的裝置,其中該絕緣層可由至少一種以下材料制成:EVA、PVOH、PVA、PVP和/或一種Tg低于大約150℃的熱塑性聚合體。
8.根據權利要求2所述的裝置,其中該光致電壓層由形成P-N結的至少兩個離散層構成,其中至少一個層包括基于CIS的材料。。
9.根據權利要求2所述的裝置,其中填充通孔直徑為大約1mm或更小。
10.根據權利要求2所述的裝置,其中填充通孔直徑為大約650微米或更小。
11.根據權利要求2所述的裝置,其中該絕緣層覆蓋通孔的側壁以及每個通孔周圍透明導體的一部分,其中該部分位于從通孔邊緣起大約2倍通孔直徑的范圍內。
12.一種方法,包括:
形成包括至少一個透明導體、一個光致電壓層和至少一個底部電極的太陽能電池;
形成通過至少一個透明導體、一個光致電壓層和至少一個底部電極的多個通孔;和
涂布通孔以在每個孔中的側壁上形成絕緣層。
13.根據權利要求12所述的方法,其中涂布包括通過噴霧噴涂一種粘在側壁上的材料而形成該絕緣層。
14.根據權利要求12所述的方法,其中有一種高效后電極配置。
15.根據權利要求12所述的方法,另包括:
用一個傳導核心填充每個通孔,該核心與透明導體電氣相連,并通過通孔中的絕緣層而與底部電極電氣絕緣;和
在基本上每個通孔中形成一個與傳導核心相連的后電極。
16.根據權利要求12所述的方法,其中涂布包括使用一個從太陽能電池的下面噴涂絕緣材料的源,以基本上完全避免在透明導體上覆蓋有絕緣材料。
17.根據權利要求12所述的方法,其中涂布包括從太陽能電池的下面噴涂絕緣材料,以便不用蒙上透明導體即可將沉積在透明導體上的材料減至最少。
18.根據權利要求12所述的方法,其中涂布包括從太陽能電池的上面噴涂絕緣材料,并蒙上透明導體以將沉積在透明導體上的材料減至最少。
19.根據權利要求12所述的方法,其中涂布包括噴涂足夠數量的絕緣材料以覆蓋通孔壁,而不完全填滿通孔。
20.根據權利要求12所述的方法,其中涂布包括噴涂足夠數量的絕緣材料以覆蓋通孔壁,并覆蓋底部電極的底面以形成一個底部絕緣層。
21.根據權利要求12所述的方法,其中通過使用一種粘性材料而形成該絕緣層。
22.根據權利要求12所述的方法,其中涂布包括通過在通孔中應用噴霧劑而形成一個絕緣層。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于納米太陽能公司,未經納米太陽能公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200780016606.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





