[發明專利]半導體器件和制造半導體器件的方法

無效

• 申請號: 200780015010.0
• 申請日: 2007-04-24
• 公開（公告）號: CN101432876A
• 公開（公告）日: 2009-05-13
• 發明（設計）人: 杉野光生;桂山悟;山代智繪;宮本哲也;山下浩行
• 申請（專利權）人: 住友電木株式會社
• 主分類號: H01L25/10
• 分類號: H01L25/10;H01L25/11;H01L25/18
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 高龍鑫;吳小瑛

1.半導體器件，其包含

第一樹脂基板，其上裝有第一半導體芯片；

第二樹脂基板，其上裝有第二半導體芯片；和

樹脂隔板，其與所述第一樹脂基板的正面和所述第二樹脂基板的背面接觸，使第一樹脂基板的所述正面與所述第二樹脂基板電連接，

其中所述樹脂隔板安置在所述第一樹脂基板表面上的所述第一半導體芯片周圍，

其中所述第一半導體芯片安置在所述第一樹脂基板表面上，位于所述第一樹脂基板、所述第二樹脂基板和所述樹脂隔板之間的空間，

其中所述第一樹脂基板包括堆積層，所述堆積層由交替堆疊的含有樹脂的絕緣層和導體互連層形成，各所述導體互連層經由在所述絕緣層的通孔中形成的導體層電互連，

其中所述第二樹脂基板包括堆積層，所述堆積層由交替堆疊的含有樹脂的絕緣層和導體互連層形成，各所述導體互連層經由在所述絕緣層的通孔中形成的導體層電互連，且

其中，第一樹脂基板和第二樹脂基板的堆積層的絕緣層中，其在25℃至其玻璃化轉變點的溫度范圍內，沿基板面內方向的平均熱膨脹系數等于或低于30ppm/℃，且25℃至其玻璃化轉變點的溫度范圍內，沿基板厚度方向的平均熱膨脹系數等于或低于30ppm/℃。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述堆積層的絕緣層中的至少一層含有氰酸酯樹脂。

3.如權利要求2所述的半導體器件，其中所述氰酸酯樹脂是線性酚醛型氰酸酯樹脂。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一樹脂基板和所述第二樹脂基板中至少之一包括芯層，其中在該芯層中的絕緣層內部形成帶有導體層的通孔，且通孔中的所述導體層與所述堆積層的導體互連層連接，且

其中25℃至其玻璃化轉變點的溫度范圍內，所述芯層的所述絕緣層沿基板面內方向的平均熱膨脹系數等于或低于12ppm/℃，且25℃至其玻璃化轉變點的溫度范圍內，所述芯層的所述絕緣層沿基板厚度方向的平均熱膨脹系數等于或低于20ppm/℃。

5.如權利要求4所述的半導體器件，其中所述芯層的所述絕緣層的樹脂含有氰酸酯樹脂。

6.如權利要求5所述的半導體器件，其中所述氰酸酯樹脂是線性酚醛型氰酸酯樹脂.

7.如權利要求4所述的半導體器件，其中在所述芯層上下兩側安置一對所述堆積層，且位于所述芯層兩側的基本對稱位置的所述堆積層的絕緣層的熱膨脹系數相等。

8.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述樹脂隔板包括具有絕緣層的芯層，在該芯層中的絕緣層中的通孔內提供導體層，在芯層的絕緣層中，25℃至其玻璃化轉變點的溫度范圍內，沿面內方向的平均熱膨脹系數等于或低于12ppm/℃，且25℃至其玻璃化轉變點的溫度范圍內，沿厚度方向的平均熱膨脹系數等于或低于20ppm/℃。

9.如權利要求8所述的半導體器件，

其中所述樹脂隔板包括堆積層，所述堆積層形成于所述芯層上，并由交替堆疊的含有樹脂的絕緣層和導體互連層構成，各所述導體互連層經由形成于所述絕緣層的通孔中的導體層電互連，且

其中，所述樹脂隔板的所述堆積層中的絕緣層中，其在25℃至其玻璃化轉變點的溫度范圍內，沿基板面內方向的平均熱膨脹系數等于或低于30ppm/℃，且25℃至其玻璃化轉變點的溫度范圍內，沿基板厚度方向的平均熱膨脹系數等于或低于30ppm/℃。

10.如權利要求9所述的半導體器件，其中所述樹脂隔板的所述芯層中的絕緣層樹脂和所述樹脂隔板的所述堆積層中的絕緣層樹脂分別包括氰酸酯樹脂。

11.如權利要求1所述的半導體器件，其中所述第一樹脂基板具有基本矩形的平面形狀，并沿所述第一樹脂基板的所述矩形的各條邊提供所述樹脂隔板。

12.如權利要求1所述的半導體器件，其中

所述第一樹脂基板經由凸塊與第一半導體芯片連接，且所述第二樹脂基板經由凸塊與第二半導體芯片連接，且

其中，各凸塊邊緣填充底部填充膠，所述底部填充膠由樹脂材料構成，所述樹脂材料在大氣中125℃下的彈性模量為150MPa或更高且800MPa或更低。

13.如權利要求8所述的半導體器件，

其中所述第一樹脂基板和第二樹脂基板的所述堆積層中的絕緣層和所述樹脂隔板的芯層中的絕緣層分別含有氰酸酯樹脂。