[發(fā)明專利]含有帶甲硅烷基乙炔基基團的并苯-噻吩共聚物的電子器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200780014279.7
• 申請日: 2007-04-13
• 公開（公告）號: CN101427381B
• 公開（公告）日: 2011-11-30
• 發(fā)明（設計）人: 朱培旺;丹尼斯·E·沃格爾;李子成;克里斯托弗·P·格拉赫
• 申請（專利權）人: 3M創(chuàng)新有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;C08G61/12;C08G81/00
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 郇春艷;樊衛(wèi)民

技術領域

描述了包含具有甲硅烷基乙炔基基團的并苯-噻吩共聚物的電子 器件和制造電子器件的方法。

背景技術

傳統(tǒng)上，無機材料已在電子器件行業(yè)占主導地位。例如，砷化硅 和砷化鎵已被用作半導體材料，二氧化硅已被用作絕緣體材料，而諸 如鋁和銅之類的金屬已被用作電極材料。然而，近年來，已經有越來 越多的研究投入著眼于在電子器件中使用有機材料而不是傳統(tǒng)的無機 材料。其中一些有益效果是，使用有機材料可以使得能以較低的成本 制造電子器件，可以使得能大面積應用，并且可以使得能將柔性電路 支承體用于顯示器底板和集成電路。

已經考慮了多種有機半導體材料，最常見的是稠合芳環(huán)化合物， 例如小分子如含并五苯的化合物、含并四苯的化合物、含蒽的化合物、 二(并苯基)乙炔化合物以及并苯-噻吩化合物。也已考慮了幾種聚合材 料，例如區(qū)域規(guī)則的(regioregular)聚噻吩，其示例性例子是聚(3-烷 基噻吩)和具有稠合噻吩單元或二噻吩單元的聚合物。然而，至少一些 聚合物趨于經歷氧化，這會導致電子器件性能降低。

發(fā)明內容

描述了電子器件和制造電子器件的方法。更具體地講，該電子器件 包含具有連接的甲硅烷基乙炔基基團的并苯-噻吩共聚物。該共聚物可 用于(例如)半導體層或用于設置在第一電極和第二電極之間的層。

在一個方面，提供了包含化學式I的并苯-噻吩共聚物的電子器件。

并苯-噻吩共聚物具有連接的甲硅烷基乙炔基基團。在化學式I中， Ac是具有2至5個稠合苯環(huán)的并苯基。Ac基團可以任選由選自烷基、 烷氧基、硫代烷基、芳基、芳烷基、鹵素、鹵代烷基、羥烷基、雜烷 基、鏈烯基或它們的組合的取代基取代。各R^a獨立地選自氫、烷基、 烷氧基、鏈烯基、芳基、雜芳基、芳烷基、雜芳烷基、雜烷基或羥烷 基。Q是化學式II、III、IV或V的二價基團。

在化學式II至V中的各R1和R2獨立地選自氫、烷基、烷氧基、 硫代烷基、芳基、芳烷基、鹵素、鹵代烷基、羥烷基、雜烷基或鏈烯 基。下標n是大于或等于4的整數(shù)。星號指示與另一個基團連接的位 置，該基團是例如另一個化學式-Ac(E)₂-Q-重復單元，其中各個E是化 學式-C≡C-Si(R^a)₃。

在另一方面，提供了制造電子器件的方法。該方法包括提供包含 化學式I的并苯-噻吩共聚物的層。

本發(fā)明的上述概述并非意圖描述本發(fā)明每個公開的實施例或每種 實施方式。隨后的具體實施方式和實例更具體地舉例說明了這些實施 例。

附圖說明

考慮到本發(fā)明的各種實施例的下面詳細描述并結合附圖，可更完 全地理解本發(fā)明，其中：

圖1是第一示例性有機薄膜晶體管的示意圖。

圖2是第二示例性有機薄膜晶體管的示意圖。

圖3是第三示例性有機薄膜晶體管的示意圖。

圖4是第四示例性有機薄膜晶體管的示意圖。

圖5是第五示例性有機薄膜晶體管的示意圖。

圖6是第六示例性有機薄膜晶體管的示意圖。

圖7A至7D是多個示例性有機發(fā)光二極管的示意圖。

圖8是示例性光伏電池的示意圖。

附圖無意于暗示任一層的某一厚度或暗示多個層的某一相對厚 度。

雖然本發(fā)明可進行多種修改形式和替代形式，但其具體形式已在 附圖中通過舉例的方式示出并且將詳細描述。然而，應當理解，本發(fā) 明不受所述具體實施例的限制。相反地，其目的在于涵蓋落入本發(fā)明 精神和范圍內的所有修改形式、等同形式以及替代形式。

具體實施方式

本發(fā)明提供含有具有連接的甲硅烷基乙炔基基團的并苯-噻吩共 聚物的電子器件。共聚物可存在于(例如)鄰近介電層、導電層或它 們的組合的層中。更具體地講，共聚物可用作電子器件(例如有機薄 膜晶體管)中的半導體材料或可以設置在電子器件(例如有機光伏電 池或有機電致發(fā)光器件)中的兩個電極之間。