[發明專利]電阻分壓器電路中使用的可調電阻器及其制造方法

有效

• 申請號: 200780014270.6
• 申請日: 2007-04-19
• 公開（公告）號: CN101427346A
• 公開（公告）日: 2009-05-06
• 發明（設計）人: 安迪·C·尼古瓦
• 申請（專利權）人: NXP股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L27/08;H01C10/00;H01L27/10
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 朱進桂

1.一種制造包括電阻分壓器電路的集成電路的方法，所述方法包括：提供硅體(60)，硅體(60)具有從其延伸的抽頭，所述抽頭包括支撐相對較寬硅平臺(62)的硅柱(61)；在所述硅體(60)和抽頭上形成硅化保護層(S)，并使所述硅化保護層(S)形成圖案，以暴露所述硅平臺(62)；以及執行硅化處理，以硅化所暴露的平臺，從而形成具有相對較低電阻的相應接觸焊盤(A，B)，其中硅平臺(62)的未硅化部分和硅化接觸焊盤(A，B)之間的界面具有曲折配置。

2.根據權利要求1的方法，其中以間隔關系設置多個所述抽頭，其中相鄰硅柱(61)之間的所述硅體(60)部分的寬度限定其電阻。

3.根據權利要求1的方法，其中所述抽頭中的兩個設置于所述電阻分壓器電路的每個電阻器之間，兩個抽頭分別在所述硅體(60)的相對側上。

4.一種包括具有硅體(60)的電阻分壓器電路的集成電路，所述硅體具有從其延伸的抽頭(A，B)，所述抽頭包括支撐相對較寬硅平臺(62)的硅柱(61)，其中所述平臺包括耦合至所述硅體(60)的未硅化部分和硅化外部接觸部分，在所述未硅化和硅化部分之間具有界面，其中硅平臺(62)的未硅化部分和硅化接觸焊盤(A，B)之間的界面具有曲折配置。