[發(fā)明專利]用于改進(jìn)保護(hù)暗參考列和行免受模糊現(xiàn)象和串?dāng)_的N阱勢(shì)壘像素無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200780014216.1 | 申請(qǐng)日: | 2007-04-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101427375A | 公開(公告)日: | 2009-05-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 理查德·A·毛里松;因納·帕特里克 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 美光科技公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/146 | 分類號(hào): | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 王允方 |
| 地址: | 美國(guó)愛*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 改進(jìn) 保護(hù) 參考 免受 模糊 現(xiàn)象 阱勢(shì)壘 像素 | ||
1.一種圖像傳感器,其包括:
襯底;
像素單元陣列,其形成為與所述襯底相關(guān)聯(lián),其中所述像素單元陣列包含有源陣列區(qū)域和黑色區(qū)域;以及
至少一個(gè)N阱像素隔離區(qū)域,其形成于所述有源陣列區(qū)域與所述黑色區(qū)域之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器,其進(jìn)一步包括鄰近于所述陣列的外圍電路,其中所述至少一個(gè)N阱像素隔離區(qū)域包含定位在所述黑色區(qū)域的至少一個(gè)像素單元與所述外圍電路之間的部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器,其中所述陣列包括包含第一像素單元部分的有源陣列區(qū)域,以及包括不在所述有源陣列區(qū)域中的第二像素單元部分的至少一個(gè)黑色區(qū)域,且其中所述至少一個(gè)N阱像素隔離區(qū)域在所述有源陣列區(qū)域與所述至少一個(gè)黑色區(qū)域之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的圖像傳感器,其中所述第二像素單元部分包含鄰近于所述有源陣列區(qū)域的第一側(cè)的第一黑色區(qū)域,以及鄰近于所述有源陣列區(qū)域的第二側(cè)的至少一第二黑色區(qū)域,所述第一和至少第二黑色區(qū)域用于確定所述陣列的黑色電平,且其中所述至少一個(gè)N阱像素隔離區(qū)域定位在所述有源陣列區(qū)域與所述第一和至少第二黑色區(qū)域之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的圖像傳感器,其中所述至少一個(gè)N阱像素隔離區(qū)域環(huán)繞所述有源陣列區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的圖像傳感器,其中所述至少一個(gè)N阱像素隔離區(qū)域環(huán)繞所述至少一個(gè)黑色區(qū)域。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器,其進(jìn)一步包括多個(gè)N阱像素隔離區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器,其中所述至少一個(gè)N阱像素隔離區(qū)域被配置為所述陣列中的像素單元的至少一部分。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的圖像傳感器,其中所述N阱像素隔離區(qū)域被配置為所述陣列中的一行像素單元。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的圖像傳感器,其中所述N阱像素隔離區(qū)域被配置為所述陣列中的一列像素單元。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器,其中所述圖像傳感器為CMOS圖像傳感器。
12.一種圖像傳感器,其包括:
像素單元陣列,所述陣列包括包含第一像素單元部分的有源陣列區(qū)域和用于確定所述陣列的黑色電平的至少一個(gè)黑色區(qū)域,所述至少一個(gè)黑色區(qū)域包含不在所述有源陣列區(qū)域中的第二像素單元部分;
外圍電路,其鄰近于所述陣列;以及
至少一個(gè)N阱像素隔離區(qū)域,其在所述陣列與所述外圍電路以及所述陣列與所述至少一個(gè)黑色區(qū)域之間。
13.一種用于隔離圖像傳感器的裝置的勢(shì)壘區(qū)域,所述勢(shì)壘區(qū)域包括:
襯底;以及
N阱像素隔離區(qū)域。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的勢(shì)壘區(qū)域,其中所述N阱像素隔離區(qū)域被配置為一組像素單元。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的勢(shì)壘區(qū)域,其中所述N阱像素隔離區(qū)域被配置為一行像素單元。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的勢(shì)壘區(qū)域,其中所述N阱像素隔離區(qū)域被配置為一列像素單元。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的勢(shì)壘區(qū)域,其中所述N阱像素隔離區(qū)域包含N阱植入物。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的勢(shì)壘區(qū)域,其中所述N阱像素隔離區(qū)域包含N阱條帶。
19.一種處理器系統(tǒng),其包括:
(i)處理器;以及
(ii)圖像傳感器,其耦合到所述處理器,所述圖像傳感器包括:
襯底;
像素單元陣列,其與所述襯底相關(guān)聯(lián);
至少一個(gè)N阱像素隔離區(qū)域,其鄰近于至少一個(gè)像素單元而形成于所述襯底上。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的處理器系統(tǒng),其中所述圖像傳感器為CMOS圖像傳感器。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的處理器系統(tǒng),其中所述圖像傳感器為CCD圖像傳感器。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的處理器系統(tǒng),其進(jìn)一步包括鄰近于所述陣列的外圍電路,其中所述至少一個(gè)N阱像素隔離區(qū)域在所述陣列與所述外圍電路之間。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





