[發明專利]用于聯合改變材料、單元工藝和工藝順序的方法和裝置

無效

• 申請號: 200780012793.7
• 申請日: 2007-02-12
• 公開（公告）號: CN101421433A
• 公開（公告）日: 2009-04-29
• 發明（設計）人: 托尼·P·江;戴維·E·拉佐夫斯凱;庫爾特·魏納;格斯·平托;托馬斯·布西埃;薩莎·格雷爾
• 申請（專利權）人: 分子間公司
• 主分類號: C23C16/52
• 分類號: C23C16/52;G01N33/20;H01L21/66;G01R31/26;A23B4/12;A23J3/34
• 代理公司: 北京邦信陽專利商標代理有限公司
• 代理人: 王昭林;崔 華

1.一種用于篩選適于制造器件的材料、單元工藝、和工藝順序的方 法，其包括：

通過改變材料、單元工藝和工藝順序用聯合方式處理第一襯底上的 區域；

測試所述第一襯底上的該處理過的區域；

基于所述第一襯底上的所述處理過的區域的測試結果，通過改變單 元工藝和工藝順序用聯合方式處理第二襯底上的區域；以及

測試所述第二襯底上的該處理過的區域；

其中，所述第一襯底是空白晶圓，所述第二襯底是圖案化的晶圓。

2.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括：

通過改變材料、單元工藝或工藝順序中之一用聯合方式處理第三襯 底上的區域，并且測試所述第三襯底上該處理過的區域。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一和第二襯底 被圖案化，其中所述第二襯底的圖案包括至少一個來自所述第一襯底的 圖案的結構。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述處理形成所述第 二襯底的區域上的結構，所述第二襯底的區域上的結構與商品半導體芯 片上的結構相關聯。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，與所述第一襯底上的 結構相比，所述第二襯底上的結構與商品器件結構關系更緊密，而對所 述第二襯底上的處理過的區域的測試是基于商品器件的重要參數。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，對所述第二襯底上的 所述處理過的區域的測試結果被反饋來訓練所述第一襯底上的處理。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述處理在區域內是 均勻的。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在各自襯底上的所述 區域重疊，但每一所述區域的一部分是均勻的。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，對區域的所述處理跨 越各自不同的區域是均勻的，使得來自所述各自不同的區域的測試結果 由改變引起。

10.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，在所述第三襯底上 所形成的結構的電氣測試判定所形成的結構是否符合器件參數。

11.一種用于篩選適于制造過程的材料、單元工藝和工藝順序的方 法，其包括：

通過改變制造過程中的單元工藝用聯合方式處理第一襯底上的區 域；

測試所述第一襯底上的該處理過的區域；

基于所述第一襯底上的所述處理過的區域的測試結果，通過改變工 藝順序用聯合方式處理第二襯底上的區域；以及

測試所述第二襯底上的該處理過的區域；

其中，所述第一襯底是空白晶圓，所述第二襯底是圖案化的晶圓。

12.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，相比于測試所述第 一襯底上的所述處理過的區域時所進行的測試，測試所述第二襯底上的 所述處理過的區域時所進行的測試更復雜。

13.根據權利要求11所述的方法，其進一步包括：

在處理所述第一襯底上的區域時形成結構；以及

在處理所述第二襯底上的區域時形成結構，其中與在處理所述第一 襯底上的區域時所形成的結構相比，在處理所述第二襯底上的區域時所 形成的結構更類似于商品結構。

14.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，用聯合方式處理所 述第一襯底上的區域所選擇的材料，由利用了梯度或場所隔離聯合工藝 中之一的現有聯合篩選所產生。

15.一種用于獲取適于制造工藝順序的全局最佳工藝順序的方法， 其包括：

用工藝順序在襯底的區域之間變化的工藝實施所述制造工藝順序， 其中用以形成每一區域中的結構的工藝具有局部均勻性，

其中，所述襯底是空白晶圓或具有基本測試結構的晶圓。