[發(fā)明專利]薄膜形成方法及薄膜層疊結(jié)構(gòu)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200780009667.6
• 申請日: 2007-10-04
• 公開（公告）號: CN101405843A
• 公開（公告）日: 2009-04-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 上田博一;野澤俊久
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/285
• 分類號: H01L21/285;C23C14/34;H01L21/28;H01L21/3205;H01L23/52
• 代理公司: 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種薄膜形成方法，其特征在于，該方法包括以下工序：

防止膜形成工序，在被處理體的表面上通過濺射形成用于防止充電損傷的防充電損傷膜；

薄膜形成工序，在形成于被處理體的表面上的防充電損傷膜的表面上通過濺射形成所期望的薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜形成方法，其特征在于，所述防充電損傷膜由Co(鈷)、Ge(鍺)、Ru(釕)中的任意一種材料形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜形成方法，其特征在于，在所述被處理體的表面上預(yù)先形成有絕緣層，所述防止膜形成工序中在絕緣層的表面形成用于防止充電損傷的防充電損傷膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項所述的薄膜形成方法，其特征在于，所述薄膜形成工序中形成一個種類的薄膜。

5、根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項所述的薄膜形成方法，其特征在于，所述薄膜形成工序中依次形成不同種類的多個薄膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任意一項所述的薄膜形成方法，其特征在于，所述薄膜為金屬膜或含金屬的膜。

7.一種薄膜的層疊結(jié)構(gòu)，其為在被處理體的表面上形成的薄膜的層疊結(jié)構(gòu)，其特征在于，該結(jié)構(gòu)具備：在所述被處理體的表面上通過濺射形成的防充電損傷膜；在所述防充電損傷膜的表面上通過濺射形成的一層薄膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜的層疊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述一層薄膜由TiN膜構(gòu)成。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的薄膜的層疊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述TiN膜形成阻擋層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜的層疊結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述TiN膜上形成有布線層。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的薄膜的層疊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述布線層由Al(包括Al合金)膜、W膜和Cu膜中任意一種材料形成。

12.一種薄膜的層疊結(jié)構(gòu)，其為形成于被處理體的表面上的薄膜的層疊結(jié)構(gòu)，其特征在于，其具備：在所述被處理體的表面上通過濺射形成的防充電損傷膜；在所述防充電損傷膜的表面上通過濺射形成的多個薄膜元件。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的薄膜的層疊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多個薄膜元件的種類互不相同。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的薄膜的層疊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多個薄膜元件從下層向上層為Ti膜元件和TiN膜元件。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的薄膜的層疊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多個薄膜元件從下層向上層為TaN膜元件和Ta膜元件。

16.根據(jù)權(quán)利要求12至15任意一項所述的薄膜的層疊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多個薄膜元件形成阻擋層。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的薄膜的層疊結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述多個薄膜元件上形成有布線層。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的層疊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述布線層由Al(包括Al合金)膜、W膜和Cu膜中任意一種材料形成。