[發(fā)明專利]使用離子注入表面改性催化無電沉積來沉積金屬膜的技術(shù)無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200780008808.2 | 申請日： | 2007-02-07 |
| 公開（公告）號： | CN101400824A | 公開（公告）日： | 2009-04-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 彼得·D·紐南;由里·艾洛克海 | 申請（專利權(quán)）人： | 瓦里安半導(dǎo)體設(shè)備公司 |
| 主分類號： | C23C18/28 | 分類號： | C23C18/28;C23C18/30;H01L29/00;C23C14/04;C23C14/48 |
| 代理公司： | 北京中原華和知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 壽 寧 |
| 地址： | 美國麻*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 使用 離子 注入 表面 改性 催化 沉積 金屬膜 技術(shù) | ||
1.一種用于沉積金屬膜的方法，包括：
在結(jié)構(gòu)上沉積催化材料，所述結(jié)構(gòu)包括襯底、在所述襯底上的介電層以及在所述介電層上的抗蝕劑層，所述介電層和所述抗蝕劑層具有一或多個開口；
剝除所述抗蝕劑層；以及
在所述結(jié)構(gòu)的所述一或多個開口中的所述催化材料上沉積金屬膜，以填充所述一或多個開口。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于沉積金屬膜的方法，其中所述催化材料使所述結(jié)構(gòu)的至少一個表面改性，以催化所述金屬膜的無電沉積。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于沉積金屬膜的方法，其中所述催化材料沉積于所述抗蝕劑層和所述襯底上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于沉積金屬膜的方法，其中所述催化材料與所述襯底均勻地混合以形成催化層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于沉積金屬膜的方法，其中所述催化材料混合到預(yù)定深度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于沉積金屬膜的方法，其中所述預(yù)定深度為100。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于沉積金屬膜的方法，其中所述催化層提供改進(jìn)的金屬膜表面粘附。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于沉積金屬膜的方法，其中所述催化材料包括Pd、Ru、Rh和Pt中的至少一個。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于沉積金屬膜的方法，其中所述襯底由Si、GaAs、Ge、SiC、InP和GaN中的至少一個形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于沉積金屬膜的方法，其中所述介電層由低介電材料形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的用于沉積金屬膜的方法，其中所述低介電材料包括SiO2、SiON、硼磷硅玻璃、摻碳玻璃、摻氟玻璃、氣凝膠或?qū)娱g電介質(zhì)中的至少一個。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于沉積金屬膜的方法，其中所述一或多個開口通過圖案化過程而形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的用于沉積金屬膜的方法，其中所述圖案化過程包括蝕刻、遮蔽和光致蝕刻處理中的至少一個。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于沉積金屬膜的方法，其中所述一或多個開口中的每一個包括20nm至300nm的直徑。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于沉積金屬膜的方法，其中所述一或多個開口中的每一個包括1:1至30:1的高開口率。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于沉積金屬膜的方法，其中沉積所述金屬膜包括自底向上填充。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于沉積金屬膜的方法，其中所述金屬膜包括Cu、Ni和CoWP中的至少一個。
18.一種自權(quán)利要求1所述的用于沉積金屬膜的方法形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
19.一種用于沉積金屬膜的方法，包括：
在結(jié)構(gòu)上沉積催化材料，所述結(jié)構(gòu)包括襯底和在所述襯底上的介電層；
在所述結(jié)構(gòu)上形成催化層；以及
在所述催化層上沉積金屬膜。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的用于沉積金屬膜的方法，其中所述催化材料使所述結(jié)構(gòu)中的至少一個表面改性，以催化所述金屬膜的無電沉積。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的用于沉積金屬膜的方法，其中所述催化層形成于所述介電層上。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的用于沉積金屬膜的方法，其中所述催化層包括與所述介電層均勻地混合的所述催化材料。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的用于沉積金屬膜的方法，其中所述催化材料混合到100的預(yù)定深度。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的用于沉積金屬膜的方法，其中所述催化層提供改進(jìn)的金屬膜表面粘附。
25.根據(jù)權(quán)利要求19所述的用于沉積金屬膜的方法，其中所述催化材料包括Pd、Ru、Rh和Pt中的至少一個。
26.根據(jù)權(quán)利要求19所述的用于沉積金屬膜的方法，其中所述襯底由Si、GaAs、Ge、SiC、InP和GaN中的至少一個形成。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴(kuò)散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C18-00 通過液態(tài)化合物分解抑或覆層形成化合物溶液分解、且覆層中不留存表面材料反應(yīng)產(chǎn)物的化學(xué)鍍覆
C23C18-02 .熱分解法
C23C18-14 .輻射分解法，例如光分解、粒子輻射
C23C18-16 .還原法或置換法，例如無電流鍍
C23C18-54 .接觸鍍，即無電流化學(xué)鍍
C23C18-18 ..待鍍材料的預(yù)處理
