[發明專利]二次電池和其制造方法以及系統有效
| 申請號: | 200780007579.2 | 申請日: | 2007-03-02 |
| 公開(公告)號: | CN101395744A | 公開(公告)日: | 2009-03-25 |
| 發明(設計)人: | 馬場守 | 申請(專利權)人: | 國立大學法人巖手大學 |
| 主分類號: | H01M4/70 | 分類號: | H01M4/70;H01M4/04;H01M10/40 |
| 代理公司: | 北京海虹嘉誠知識產權代理有限公司 | 代理人: | 吳小燦;張 濤 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 二次 電池 制造 方法 以及 系統 | ||
1.二次電池,其特征包括:在表面粗糙度RMS為0.8μm或以下的導電性薄片基板上形 成,由正極活性物質層,電解質層,負極活性物質層形成的順序疊層,或者由負極活性物 質層,電解質層,正極活性物質層形成的順序疊層;所述薄片基板上的直徑0.15μm或以 上的析出物在5000個/mm2或以下。
2.根據權利要求1記載的二次電池,其特征包括:上述薄片基板的表面粗糙度RMS為 0.1μm~0.5μm。
3.根據權利要求1到2中任意1項記載的二次電池,其特征包括:上述薄片基板包含 用不銹鋼薄膜覆蓋有機薄膜的兩個面的導電性薄膜。
4.根據權利要求1到2中任意1項記載的二次電池,其特征包括:上述薄片基板是表 面沒有氧化物的基板。
5.根據權利要求1到2中任意1項記載的二次電池,其特征包括:上述電解質層包括 固體電解質。
6.根據權利要求1到2中任意1項記載的二次電池,其特征包括:上述各層的一部分 或全部是通過真空成膜法形成的層。
7.根據權利要求1到2中任意1項記載的二次電池,其特征包括:上述薄片基板的兩 面上具有1個或多個電池。
8.根據權利要求1到2中任意1項記載的二次電池,其特征包括:多個電池被串聯地 疊層以使電池的正極活性物質層和其他電池的負極活性物質層相互接近。
9.根據權利要求8記載的二次電池,其特征包括:集電電極介于多個電池之間。
10.根據權利要求7記載的二次電池,其特征包括:集電電極不介于多個電池之間。
11.二次電池系統,其特征是:將根據權利要求1到10的任意1項記載的二次電池以 并聯形式堆砌而成。
12.二次電池系統,其特征是:將根據權利要求1到10的任意1項中記載的二次電池 以串聯形式堆砌而成。
13.根據權利要求11中記載的二次電池系統,其特征包括:至少在最上層設置集電器, 并且僅從上述薄片基板,或僅從上述薄片基板和最上層的上述集電器向外部抽出導線。
14.根據權利要求12中記載的二次電池系統,其特征包括:至少在最上層設置集電器, 并且僅從最下層的上述薄片基板和最上層的上述集電器向外部抽出導線。
15.根據權利要求11到14中任意1項記載的二次電池系統,其特征包括:通過(1) 物理地直接接觸,(2)涂覆在相對的一個面或兩個面上的導電膠,或者(3)使用導電片來 確保上述薄片基板和二次電池的最上層的電接觸。
16.二次電池的制造方法,其特征包括:在表面粗糙度RMS為0.8μm或以下的導電性 薄片基板上,將正極活性物質層,電解質層,負極活性物質層的各層,或負極活性物質層, 電解質層,正極活性物質層的各層按順序疊層的工藝;所述薄片基板上的直徑0.15μm或 以上的析出物在5000個/mm2或以下。
17.根據權利要求16中記載的二次電池的制造方法,其特征包括:上述薄片基板的表 面粗糙度RMS為0.1μm~0.5μm。
18.根據權利要求16到17中任意1項記載的二次電池的制造方法,其特征是:上述薄 片基板是包含用不銹鋼薄膜覆蓋有機薄膜的兩個面的導電性薄膜。
19.根據權利要求16到17中任意1項記載的二次電池的制造方法,其特征是:從上述 薄片基板的表面除去自然氧化膜之后再形成各層。
20.根據權利要求16到17中任意1項記載的二次電池的制造方法,其特征是:上述電 解質層包含固體電解質。
21.根據權利要求16到17中任意1項記載的二次電池的制造方法,其特征包括:上述 各層的一部分或全部是通過真空成膜法形成的。
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