[發明專利]用于晶片背面加工尤其減薄的方法、為此使用的晶片-載體布置和用于制造這種晶片-載體布置的方法有效
| 申請號: | 200780007194.6 | 申請日: | 2007-03-01 |
| 公開(公告)號: | CN101395703A | 公開(公告)日: | 2009-03-25 |
| 發明(設計)人: | 安德烈亞斯·雅各布 | 申請(專利權)人: | 雅各布+理查德知識產權利用有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;H01L21/68;H01L21/78;H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人: | 蔡勝有;顧晉偉 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 晶片 背面 加工 尤其 方法 為此 使用 載體 布置 制造 這種 | ||
1.一種晶片-載體裝置,所述裝置包含:
-晶片(1),
-載體層系統(5、6)和
-設置在載體層系統(5、6)與晶片(1)之間的分界層(4),
其中,載體層系統(5、6)包含
(i)載體層(6)和
(ii)在所述分界層側由固化、部分固化或者可固化的彈性體材料構成的 層(5),
或者由這兩個層組成,以及
其中,分界層(4)為
(iii)等離子體聚合物層,和
(iv)載體層系統(5、6)與分界層(4)之間的附著強度在所述彈性體材 料固化之后大于晶片(1)與分界層(4)之間的附著強度。
2.根據權利要求1的晶片-載體裝置,所述裝置在所述晶片背離分界層 (4)的面上包含連接材料層和第二載體層(17)。
3.根據權利要求1或2的晶片-載體裝置,其中所述彈性體材料是部分 固化的。
4.根據權利要求1或2的晶片-載體裝置,其中所述彈性體材料在部分 固化的狀態下具有明顯低于固化狀態下的Shore-A硬度和/或在固化狀態 下具有15~78的Shore-A硬度。
5.根據權利要求1或2的晶片-載體裝置,其中所述彈性體材料在聚硅 氧烷基礎上制造。
6.根據權利要求1或2的晶片-載體裝置,其中載體層(6)為聚酰 亞胺或者聚酰胺層、玻璃層或者硅層。
7.根據權利要求1或2的晶片-載體裝置,其中,載體層(6)線性膨 脹的熱膨脹系數與晶片(1)的熱膨脹系數相差最大10*10-6/℃。
8.根據權利要求2的晶片-載體裝置,其中,第二載體層(17)為薄膜。
9.根據權利要求2的晶片-載體裝置,其中,第二載體層(17)的撓性 大于載體層(16)的撓性。
10.根據權利要求2的晶片-載體裝置,其中,第二載體層(17)為由一 層或更多層PP、PE、PET和/或其他塑料構成的薄膜。
11.根據權利要求2的晶片-載體裝置,其中所述連接材料層包含以下材 料或由該材料組成,所述材料對晶片的附著力在輻射和/或熱的作用下減少 或者消失。
12.根據權利要求1或2的晶片-載體裝置,其中,載體層(6)和/或所 述彈性體材料構成的層(5)和/或第二載體層(17)這樣構成,使它們可 以靜電加荷和/或可以由靜電加荷的面固定。
13.一種用于根據權利要求1~6和12中任一項的晶片-載體裝置的層系 統,所述層系統包含
(i)載體層(6),
(ii)由固化、部分固化或者可固化的彈性體材料構成的層(5)和
(iii)在彈性體材料構成的層背離所述載體層的面上的等離子體聚合物分 界層(4)。
14.根據權利要求13的層系統,所述層系統包含在所述等離子體聚合物 分界層(4)背離載體層(6)的面上的可揭下的保護膜(9)。
15.根據權利要求13或14所述的層系統,其中,保護膜(9)是由PP、 PE、PET和/或其他塑料構成的薄膜或者是利用聚硅氧烷涂覆的紙。
16.由固化的彈性體材料構成的層(5)和等離子體聚合物的分界層(4) 和/或根據權利要求13~15中任一項的層系統和/或者根據權利要求1、3~ 7和12中任一項的晶片-載體裝置在加工晶片(1)背面時的用途。
17.根據權利要求16所述的用途,用于晶片(1)的減薄和/或分割。
18.根據權利要求13~15中任一項的層系統在制造根據權利要求1~12 中任一項的晶片-載體裝置時的用途。
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





