[發(fā)明專利]太陽能電池標記方法和太陽能電池

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200780007131.0
• 申請日: 2007-02-28
• 公開（公告）號: CN101395724A
• 公開（公告）日: 2009-03-25
• 發(fā)明（設計）人: 裘格·慕勒;托拉夫·帕特拉夫
• 申請（專利權）人: Q－細胞公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L23/544
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權代理有限公司
• 代理人: 許 靜

1.一種太陽能電池標記工藝，含有如下工序：

準備一個帶有一個基底表面的基底，用于制造具有一個活躍區(qū)(5)的太陽能電池(1)；

運用激光照射在基底表面上生成至少一個凹坑(21、31)，數(shù)量為至少一個的凹坑(21、31)構成用來標識太陽能電池(1)的標記(2、3)，凹坑(21、31)的生成在太陽能電池的生產(chǎn)流程開始之前進行，或在此過程中進行，

其特征在于：

基底由帶有一個晶片表面的半導體晶片構成，晶片表面上的標記(2、3)被以如下方式定位，即：標記(2、3)位于由半導體晶片構成的太陽能電池(1)的活躍區(qū)(5)內。

2.如權利要求1所述的太陽能電池標記工藝，其特征在于，所生成的數(shù)量為至少一個的凹坑(21、31)具有一定深度，使由凹坑形成的標記(2、3)即使在整個生產(chǎn)流程完成之后也可通過一臺光電子讀取裝置讀出。

3.如權利要求1所述的太陽能電池標記工藝，其特征在于：在生成至少一個凹坑(21、31)之后，安排有一個蝕刻步驟，該步驟使處于凹坑(21、31)范圍的，晶片表面上受到能量引入影響的活躍區(qū)(11)被完全去除。

4.如權利要求3所述的太陽能電池標記工藝，其特征在于：所安排的蝕刻步驟具有如下設計，即采用高于外部的蝕刻率對處于凹坑范圍內的晶片表面進行蝕刻。

5.如權利要求3所述的太陽能電池標記工藝，其特征在于：以濕法化學拋光或干蝕的形式來執(zhí)行蝕刻步驟。

6.如權利要求5所述的太陽能電池標記工藝，其特征在于：通過蝕刻步驟，另外使加裝有標記(2、3)的晶片表面形成紋理結構。

7.如權利要求1所述的太陽能電池標記工藝，其特征在于：通過激光除離方法生成數(shù)量為至少一個的凹坑(21、31)，其深度大于8μm。

8.如權利要求1所述的太陽能電池標記工藝，其特征在于：在生成凹坑(21、31)時，數(shù)量為至少一個的凹坑(21、31)其深度與直徑的尺寸比例大于1∶12。

9.如權利要求1所述的太陽能電池標記工藝，其特征在于，太陽能電池的生產(chǎn)流程包括以下步驟：

在裝有標記(2、3)的晶片表面生成一個大面積的p-n過渡部分；

使一個抗反射層沉積到裝有標記(2、3)的晶片表面；

在裝有標記(2、3)的晶片表面涂覆上含有金屬的膏劑并加以干燥和煅燒，形成一個帶有印制導線(4)的金屬電極柵。

10.如權利要求9所述的太陽能電池標記工藝，其特征在于：所安裝的印制導線(4)與標記(2、3)之間存在間距。

11.如權利要求10所述的太陽能電池標記工藝，其特征在于：印制導線(4)相互間等距排列。

12.如權利要求10所述的太陽能電池標記工藝，其特征在于：標記(2、3)排布在半導體晶片的中心，印制導線(4)的排列形式為，第一條中心印制導線(41a)從晶片表面的一側出發(fā)向標記(2)延伸，第二條中心印制導線(41b)從晶片表面相對的另一側出發(fā)向標記(2、3)延伸，其中第一條中心印制導線(41a)和第二條中心印制導線(41b)在與標記(2、3)的一個觸點之前向相反的方向彎折，并分別通向相鄰的印制導線(4a、4b)。

13.如權利要求1所述的太陽能電池標記工藝，其特征在于：由多個凹坑(21、31)構造而成的標記(2、3)形成一個序列碼、一個數(shù)據(jù)矩陣碼或一個條碼的形式。

14.如權利要求13所述的太陽能電池標記工藝，其特征在于：所生成的標記(2)為14×14數(shù)據(jù)矩陣碼，其棱長大體為2mm×2mm。

15.如權利要求14所述的太陽能電池標記工藝，其特征在于：所生成的標記(3)為一種可以通過OCR方法讀出的序列碼，它包括由多個數(shù)字和/或字母組成的符號，符號被設計為具有大約1厘米的高度。

16.如權利要求13所述的太陽能電池標記工藝，其特征在于：在晶片表面上生成多個標記(2、3)。