[發明專利]分子篩和沸石微針及其制備

有效

• 申請號: 200780006266.5
• 申請日: 2007-02-16
• 公開（公告）號: CN101389374A
• 公開（公告）日: 2009-03-18
• 發明（設計）人: 楊經倫;王礽慧;孫文青;梁偉健;賴詠欣;陳雅慧
• 申請（專利權）人: 香港科技大學
• 主分類號: A61M37/00
• 分類號: A61M37/00
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 過曉東

1.制備沸石微針的方法，其包括：

提供聚合物微針模板；

在所述聚合物微針模板上沉積沸石晶種；及

使所述沸石晶種生長成為沸石微針陣列。

2.如權利要求1的方法，其中所述提供步驟包括將光敏聚合物暴露于紫外光中。

3.如權利要求2的方法，其中所述提供步驟還包括將所述光敏聚合物浸入顯影劑中。

4.如權利要求1的方法，其中所述沉積步驟包括以靜電方式組裝沸石晶種。

5.如權利要求4的方法，其中所述組裝步驟包括將帶正電的聚電解質引入所述模板中。

6.如權利要求5的方法，其中所述帶正電的聚電解質包括聚氯化二烯丙基二甲基銨。

7.如權利要求5的方法，其中所述組裝步驟還包括將帶負電的沸石晶種添加至所述帶正電的聚電解質上。

8.如權利要求5的方法，其中所述組裝步驟還包括將帶負電的聚電解質添加至所述帶正電的聚電解質上。

9.如權利要求8的方法，其中所述帶負電的聚電解質包括聚苯乙烯磺酸鹽。

10.如權利要求1的方法，其中所述沉積步驟包括在所述模板上旋涂沸石晶種。

11.如權利要求10的方法，其中所述沸石晶種包括silicate-1晶種。

12.如權利要求1的方法，其中所述沉積步驟包括在所述模板上使沸石晶種老化。

13.如權利要求1的方法，其中所述生長步驟包括將沸石晶種在約403K下培養約24小時。

14.如權利要求1的方法，其還包括從所述沸石微針除去所述聚合物微針模板。

15.如權利要求14的方法，其中采用空氣煅燒法除去所述模板。

16.如權利要求14的方法，其中采用臭氧化法除去所述模板。

17.沸石微針，其包括：

基底層；及

位于所述基底層上的沸石以形成沸石微針陣列。

18.如權利要求17的沸石微針，其中所述沸石微針的錐角為75°至100°。

19.如權利要求17的沸石微針，其中所述基底層包括二氧化硅、玻璃、石英、金屬或它們任意的組合。

20.如權利要求17的沸石微針，其中所述沸石微針包括封閉針尖。

21.如權利要求17的沸石微針，其中所述沸石微針包括開口針尖。

22.如權利要求17的沸石微針，其中所述沸石微針是空心的。

23.如權利要求17的沸石微針，其中所述沸石微針是生物相容性的。

24.筆式施藥器，其包括控制系統以及與所述控制系統相連的如權利要求17的沸石微針。

25.手表式施藥器，其包括微處理器以及與所述微處理器相連的如權利要求17的沸石微針。