[發明專利]具有納米管晶體管存取裝置的存儲器

無效

• 申請號: 200780004966.0
• 申請日: 2007-02-08
• 公開（公告）號: CN101379565A
• 公開（公告）日: 2009-03-04
• 發明（設計）人: 羅納德·卡科斯奇科;托馬斯·尼爾希
• 申請（專利權）人: 奇夢達股份公司
• 主分類號: G11C13/02
• 分類號: G11C13/02
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 章社杲;吳貴明

1.一種存儲單元，包括:

存儲元件；以及

納米管晶體管，所述納米管晶體管與所述存儲元件接觸 以存取所述存儲元件。

2.根據權利要求1所述的存儲單元，其中，所述存儲元件包括相 變存儲元件。

3.根據權利要求1所述的存儲單元，其中，所述存儲元件包括后 段制程的存儲元件。

4.根據權利要求1所述的存儲單元，其中，從包括磁阻存儲元件、 傳導橋接存儲元件、鐵電存儲元件、懸臂存儲元件和聚合物存 儲元件的組中選擇所述存儲元件。

5.根據權利要求1所述的存儲單元，其中，所述納米管晶體管包 括碳納米管(CNT)晶體管。

6.一種存儲器，包括:

第一導線；

第一存儲元件，所述第一存儲元件耦合至所述第一導線；

第一納米管晶體管，所述第一納米管晶體管具有源-漏通 路，所述源-漏通路的第一側與所述第一存儲元件接觸；

第一字線，所述第一字線耦合至所述第一納米管晶體管 的柵極；以及

第二導線，所述第二導線耦合至所述第一納米管晶體管 的所述源-漏通路的第二側。

7.根據權利要求6所述的存儲器，其中，在所述第一字線上施加 第一信號使所述第一納米管晶體管導通，以在所述第一導線和 所述第二導線之間傳送第二信號，從而存取所述第一存儲元 件。

8.根據權利要求6所述的存儲器，其中，所述字線相對于所述第 一導線和所述第二導線成一定角度。

9.根據權利要求6所述的存儲器，其中，所述字線基本與所述第 一導線和所述第二導線中的一個平行。

10.根據權利要求6所述的存儲器，還包括:

第二納米管晶體管，所述第二納米管晶體管具有源-漏通 路，所述源-漏通路的第一側耦合至所述第二導線；

第二字線，所述第二字線耦合至所述第二納米管晶體管 的柵極；

第二存儲元件，所述第二存儲元件與所述第二納米管晶 體管的所述源-漏通路的第二側接觸；以及

第三導線，所述第三導線耦合至所述第二存儲元件。

11.根據權利要求10所述的存儲器，其中，所述第一導線基本與 所述第三導線平行，并基本與所述第二導線垂直。

12.根據權利要求10所述的存儲器，其中，所述第一導線基本與 所述第一字線以及所述第二字線垂直。

13.根據權利要求10所述的存儲器，其中，所述第一導線、所述 第一字線、所述第二導線、所述第二字線和所述第三導線分別 位于不同的平行的平面內。

14.根據權利要求10所述的存儲器，其中，所述第一導線和所述 第三導線位于第一平面內，以及其中，所述第一字線、所述第 二導線和所述第二字線位于第二平面內，所述第二平面與所述 第一平面隔開并與所述第一平面平行。

15.一種存儲器，包括:

第一導線；

第一存儲元件，所述第一存儲元件耦合至所述第一導線；

第一納米管晶體管，所述第一納米管晶體管具有源-漏通 路，所述源-漏通路的第一側與所述第一存儲元件接觸；

第二導線，所述第二導線耦合至所述第一納米管晶體管 的所述源-漏通路的第二側；

第二存儲元件，所述第二存儲元件耦合至所述第一導線；

第二納米管晶體管，所述第二納米管晶體管具有源-漏通 路，所述源-漏通路的第一側與所述第二存儲元件接觸；

第三導線，所述第三導線耦合至所述第二納米管晶體管 的所述源-漏通路的第二側；以及

字線，所述字線耦合至所述第一納米管晶體管的柵極和 所述第二納米管晶體管的柵極。