[發明專利]光纖、光纖帶及光互連系統

有效

• 申請號: 200780001216.8
• 申請日: 2007-08-31
• 公開（公告）號: CN101356460A
• 公開（公告）日: 2009-01-28
• 發明（設計）人: 杉崎隆一;下高原巖;稻葉治己;八木健
• 申請（專利權）人: 古河電氣工業株式會社
• 主分類號: G02B6/036
• 分類號: G02B6/036;G02B6/42;G02B6/44
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 汪惠民

技術領域

本發明涉及一種光纖、光纖帶及光互連系統，尤其涉及一種設備內光 布線用光纖、光纖帶及使用其的光互連系統。

背景技術

作為設備內的用于信號傳輸的方式有電傳輸方式及光互連 (interconnection)方式二種。近年來隨著CPU時鐘頻率的高速化，對于 電傳輸方式，因高密度布線而存在產生串擾的問題，為此需要運用波形成 形技術等。其結果，在作為設備內的信號傳輸方式采用電傳輸方式的情況 下，可知其傳輸限度為傳輸距離100m及傳輸速度10Gbps左右。另一方 面，如果作為設備內的信號傳輸方式采用光互連方式，則與電傳輸方式相 比較可進行更加遠距離的寬帶傳輸，并且，能夠構建使用小型且低耗電的 光部件的信號傳輸系統。因此，當前光互連方式取代電傳輸方式作為設備 內信號傳輸技術更受關注。

對于光互連方式，存在作為光傳輸機構采用光波導回路的方式以及采 用光纖的方式，由于希望設備內使用的所有光部件都盡可能節省空間地進 行收容，所以可靈活的布線且可進行低損失的光傳輸的光纖被定位于適于 光互連的光部件之一。

以往，作為短距離光傳輸用的光纖，使用多模光纖(MMF)。通常， MMF具有單模光纖(SMF)的10倍左右的芯徑，根據其數值孔徑的大小， 在連接光纖與光源等之間時，無需高精度，因此，可容易連接。尤其，將 振蕩波長850nm的面發光型半導體激光器(VCSEL)作為光源、以多模 光纖之一的折光指數漸變光纖作為光傳輸介質的方法被頻繁采用。折光指 數漸變光纖是通過使芯區域的折射率分布形狀最佳化而抑制了模式分散 的影響的光纖。精密地控制了折射率分布形狀的折光指數漸變光纖可進行 傳輸速度10Gbps、距離100m左右的高速光通信。但是，基于更長距離傳 輸或更高速傳輸的目的，開始研究寬帶的SMF的運用。作為在這種情況 下使用的光源，近年來逐步研究GaInAs/GaAs系半導體激光器。該激光器 具有1100nm～1200nm的振蕩波長，振蕩閾值低，溫度特性良好，另外， 具有可在10Gbps下直接調制等優點，因此，作為LAN等用途的光源被持 續關注。振蕩波長可變化，在此之前，關于1100nm及1200nm二者進行 了開發研究，有在學會上發表等情況。例如，在非專利文獻1及非專利文 獻2中就公開了將GaInAs/GaAs量子阱激光器用于光源，通過SMF進行 傳輸的例子。在采用SMF的情況下，可進行傳輸速度40Gbps左右的高速 光通信。

非專利文獻1：F.Koyama?et?al.、“1.2μm?highly?strained?G aInAs/GaAs?quantum?well?Iasers?for?singlemode?fibre?datali nk”、ELECTRONICS?LETTERS、Vol.35、No.13、pp.1079-10 81、June、1999.

非專利文獻2：F.Koyama?et?al.、“Data?Transmission?Over Single-Mode?Fiber?by?Using?1.2-μm??Uncooled?GaInAs/ GaAs?Laser?for?Gb/s?Local?Area?Network”、PHOTONICS?T ECHNOLOGY?LETTERS、Vol.12、No.2、pp.125-127、Februar y、2000.

如上所述，對于光纖要求實現彎曲損失及連接損失都降低、可高速光 傳輸、適于容易構建光互連系統。另外，對于光纖還要求實現能以小彎曲 直徑纏繞、彎曲引起的斷裂機率小、又可收容多余長度。

發明內容

本發明即是鑒于上述現狀做出的，其目的在于提供一種彎曲損失及連 接損失都降低、適于容易構建光互連系統的光纖、光纖帶及使用其的光互 連系統。

為了解決上述問題、實現上述目的，本發明的光纖，其特征在于：芯 及包層由石英系玻璃構成，波長1100nm中的模場直徑為5.5μm以上，在 波長1100nm中進行單模傳輸，以半徑2mm彎曲時的波長1100nm中的彎 曲損失為1dB/匝以下。

另外，本發明的光纖，基于上述發明，其特征在于：包層直徑為55 μm～90μm。