[發明專利]具有涂有聚合物的銅線的半導體封裝及其制造方法無效
| 申請號： | 200780000715.5 | 申請日： | 2007-05-03 |
| 公開（公告）號： | CN101331600A | 公開（公告）日： | 2008-12-24 |
| 發明（設計）人： | 吳周錫;金義德;樸琦錫;辛承桓 | 申請（專利權）人： | 韓華石油化學株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/60 | 分類號： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 | 代理人： | 李輝 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 聚合物 銅線 半導體 封裝 及其 制造 方法 | ||
1、一種半導體封裝，其包括：
與半導體芯片焊盤和端子相連接，并且涂覆有從聚苯乙烯類和聚丙烯酸類的組中選擇的聚合物乳液的銅線或銅合金線。
2、如權利要求1所述的半導體封裝，其中，涂覆有所述聚合物乳液的層的厚度是10～500nm。
3、如權利要求1所述的半導體封裝，其還包括：
具有所述半導體芯片焊盤的半導體芯片；
附接有所述半導體芯片的引線框架焊盤；和
用于完全包覆所述半導體芯片、所述引線框架焊盤的一部分和引線的一部分的模制材料。
4、如權利要求1所述的半導體封裝，其中，所述銅合金線包括與銅熔合的包括銀和金的組中的至少一種。
5、如權利要求1到4中的任何一項所述的半導體封裝，其中，所述聚合物乳液是通過包括以下步驟的方法來制造的：
a)對從苯乙烯類、(甲基)丙烯酸或(甲基)丙烯酸酯類單體中選擇的至少一種進行聚合；
b)制備水分散性溶液，在步驟a)制造的聚合物水分散在該水分散性溶液；
c)在所述水分散性溶液中添加從苯乙烯類、(甲基)丙烯酸或(甲基)丙烯酸酯類單體中選擇的至少一種，并對其進行乳液聚合。
6、一種用于制造半導體封裝的方法，其包括以下步驟：
提供半導體芯片焊盤和端子；和
通過銅線或銅合金線連接所述半導體芯片焊盤和所述端子，所述銅線或銅合金線涂覆有從聚苯乙烯類和聚丙烯酸類的組中選擇的聚合物乳液，并且所述銅線或銅合金線的一端接合到所述半導體芯片焊盤，而其另一端接合到所述端子。
7、如權利要求6所述的方法，其中，涂覆有所述聚合物乳液的層的厚度是10～500nm。
8、如權利要求6所述的方法，其中，所述銅合金線包括與銅熔合的包括銀和金的組中的至少一種。
9、如權利要求6到8中的任何一項所述的方法，其中，所述聚合物乳液是通過包括以下步驟的方法來制造的：
a)對從苯乙烯類、(甲基)丙烯酸或(甲基)丙烯酸酯類單體中選擇的至少一種進行聚合；
b)制備水分散性溶液，在步驟a)制造的聚合物水分散在該水分散性溶液中；
c)在所述水分散性溶液中添加從苯乙烯類、(甲基)丙烯酸或(甲基)丙烯酸酯類單體中選擇的至少一種，并對其進行乳液聚合。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
