[實用新型]一種多路半導體激光耦合入單根光纖的結構無效
| 申請號: | 200720309495.1 | 申請日: | 2007-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN201203679Y | 公開(公告)日: | 2009-03-04 |
| 發明(設計)人: | 王仲明;朱曉鵬;陳曉華 | 申請(專利權)人: | 王仲明;朱曉鵬;陳曉華 |
| 主分類號: | G02B6/26 | 分類號: | G02B6/26;G02B6/32;G02B6/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 100070北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 半導體 激光 耦合 入單根 光纖 結構 | ||
1.一種多路半導體激光耦合入單根光纖的結構,其特征為激光器芯片安裝于階梯形金屬熱沉上,每個激光器芯片前都有一個微柱透鏡,對其光束快軸方向進行準直后形成平行、等間距的光束,每個經快軸準直的光束都照射到一個反射鏡上,使反射光束偏轉90°并使光束快軸方向上的間距得到壓縮,在反射鏡前方或后方,每一路激光束都經過一個柱透鏡進行慢軸方向的準直,所有快、慢軸方向都經準直的合束后的光束由聚焦透鏡耦合進入多模光纖。
2.根據權利要求1所述的多路半導體激光耦合入單根光纖的結構,其特征為:階梯長度(Lz)和高度(Lx)的范圍在0.3mm到3mm。階梯數目根據總功率需求和單個芯片的功率以及散熱條件確定,數量從2到15個。
3.根據權利要求1所述的多路半導體激光耦合入單根光纖的結構,其特征為:激光器芯片可以直接燒結在階梯形熱沉上,也可以通過過渡熱沉安裝在階梯形熱沉上。
4.根據權利要求1所述的多路半導體激光耦合入單根光纖的結構,其特征為:激光器波長從400nm到2000nm。
5.根據權利要求1所述的多路半導體激光耦合入單根光纖的結構,其特征為:所有的反射鏡均等距離、45°角排列,反射鏡排列方式在X方向上保證每個反射鏡都不遮擋相鄰反射鏡的反射光。
6.根據權利要求1所述的多路半導體激光耦合入單根光纖的結構,其特征為:對慢軸方向進行準直的柱透鏡位于光路中反射鏡前方或者后方。
7.根據權利要求1所述的多路半導體激光耦合入單根光纖的結構,其特征為:多模光纖纖芯直徑范圍為200μm到1000μm,數值孔徑范圍為0.1到0.3,獲得1W~100W的光功率輸出。
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