[實用新型]脈沖高能量密度等離子體輔助多源復(fù)合材料表面改性裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200720309049.0
• 申請日: 2007-12-24
• 公開（公告）號: CN201228282Y
• 公開（公告）日: 2009-04-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊思澤
• 申請（專利權(quán)）人: 楊思澤
• 主分類號: C23C14/22
• 分類號: C23C14/22;C23C14/48;C23C16/50
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1、一種脈沖高能量密度等離子體輔助多源復(fù)合材料表面改性裝置，其特征在于，包括：真空室、脈沖高能量密度等離子體槍、大功率高速真空陰極弧金屬等離子體源和熱絲氣體等離子體源，所述脈沖高能量密度等離子體槍和大功率真空陰極弧金屬等離子體源分別對稱安裝于所述真空室的(A和A’)、(B和B’)端口處，熱絲氣體等離子體源設(shè)置在所述真空室的(C)端口處，所述真空室底部還安裝有可調(diào)轉(zhuǎn)速的旋轉(zhuǎn)樣品臺(D)。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種脈沖高能量密度等離子體輔助多源復(fù)合材料表面改性裝置，其特征在于，所述脈沖高能量密度等離子體槍包括：中心電極、圓筒外電極、電磁閥、進氣閥和絕緣膠木，所述中心電極與圓筒外電極同軸，所述中心電極根部中空，被電磁閥磁針頂住，所述進氣閥處于電磁閥的尾端，直接與工作氣瓶相連，所述絕緣膠木支撐中心電極和圓筒外電極，與真空室固定。

3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種脈沖高能量密度等離子體輔助多源復(fù)合材料表面改性裝置，其特征在于，所述大功率真空陰極弧等離子體源包括：陰極、觸發(fā)和磁場線圈，所述陰極和觸發(fā)電極設(shè)置在所述(B)端口內(nèi)，所述磁場線圈設(shè)置在(B)端口的周圍。

4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種脈沖高能量密度等離子體輔助多源復(fù)合材料表面改性裝置，其特征在于，所述熱燈絲離子源包括：鎢絲、接線柱、磁場線圈和支架，鎢絲通過接線柱設(shè)置在所述(C)端口內(nèi)，磁場線圈設(shè)置在支架(C4)的周圍。

5、根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的一種脈沖高能量密度等離子體輔助多源復(fù)合材料表面改性裝置，其特征在于，所述電極材料為鈦、鉭、銅或石墨。

6、根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種脈沖高能量密度等離子體輔助多源復(fù)合材料表面改性裝置，其特征在于，所述樣品架通過行星齒輪組圓周均布于樣品臺上，步進電機通過傳動軸安裝在樣品臺絕緣軸套上，由外電路給樣品臺和基片架提供可控直流或脈沖負(fù)偏壓。

7、根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種脈沖高能量密度等離子體輔助多源復(fù)合材料表面改性裝置，其特征在于，所述脈沖高能量密度等離子體槍、大功率真空陰極弧等離子體源和熱燈絲離子源分別至少設(shè)置一個以上。

8、根據(jù)權(quán)利要求7所述的所述脈沖高能量密度等離子體槍，其特征在于，所述脈沖高能量密度等離子體槍應(yīng)處于最靠近樣品架的水平位置，所述大功率真空陰極弧等離子體源和熱燈絲離子源的種類和位置根據(jù)保持多等離子體源的對稱性原則進行任意組合。