[實用新型]槽型等離子體顯示板用電極無效
| 申請號: | 200720306700.9 | 申請日: | 2007-04-26 |
| 公開(公告)號: | CN201156515Y | 公開(公告)日: | 2008-11-26 |
| 發明(設計)人: | 楊蘭蘭;鄭姚生;朱立鋒;王保平 | 申請(專利權)人: | 南京華顯高科有限公司 |
| 主分類號: | H01J17/04 | 分類號: | H01J17/04;H01J17/48 |
| 代理公司: | 南京天華專利代理有限責任公司 | 代理人: | 夏平;瞿網蘭 |
| 地址: | 210061江蘇省南*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 等離子體 顯示 用電 | ||
本申請是2007年4月26日申請的、申請號為2007200360197、名稱為“槽型等離子體顯示板用電極”的實用新型專利的分案申請。
技術領域
本實用新型涉及一種等離體顯示器,尤其是等離子體顯示器中影響其顯示性能的電極結構,具體地說是一種能在槽型等離子體顯示板電極間的電容不變的情況下,提高發光效率的等離子體顯示器用電極。
背景技術
等離子體顯示器(Plasma?display?panel,PDP)是借由氣體放電所產生的紫外光激發熒光粉發光的顯示器件。
目前絕大多數等離子體顯示屏所采用的結構是三電極的表面放電型結構。在這種結構中,前基板上分布著相互平行的維持電極(X電極)和掃描電極(Y電極),兩者一起被稱為顯示電極,尋址電極(A電極)則以與維持電極相垂直的方向平行設置于后基板的表面。在ACC-PDP顯示中,在維持期,X電極和Y電極交替加上高壓,使在尋址期積累了壁電荷的單元產生放電。從而實現圖像的顯示。
而近年來開發成功的蔭罩式等離子體顯示板(SM-PDP)采用的則是兩個個電極結構的對向放電結構。它在前基板上的制作單根行電極(掃描電極,維持期的電壓也加到該電極),尋址電極(列電極)則以與掃描電極相垂直的方向平行設置于后基板的表面,掃描電極和尋址電極相互正交。在SM-PDP顯示中,維持期只在掃描電極上加正負交替的高壓使尋址期積累了壁電荷的單元產生放電,從而實現圖像顯示。
在SM-PDP的放電過程中,放電首先出現在兩電極相交叉的區域,然后沿著電極向邊緣擴散。而改變電極的寬度可以使放電過程中陰極區擴大,但是在此區域內電子的能量將被大量消耗在電離、激發氖原子和加熱離子上,而對PDP亮度有直接關系的紫外線卻減少很多,這就使得放電效率降低。從PDP顯示屏的角度來看,電極寬度的增加也會使屏的電容變大,從而使放電過程中的位移電流增大,驅動電路的成本和功耗也隨之增大。
目前常見的槽型等離子體顯示板(SM-PDP)中的掃描電極主要有以下兩種結構:
1)透明電極和匯流(BUS)電極結構;
2)單根匯流(BUS)電極結構;
單根匯流電極結構,沒有透明電極,降低了成本,但匯流電極寬度不能做得很寬以免遮蔽發射的光,降低亮度。而對于BUS電極和透明電極的結構,由于透明電極的制作在增加了成本的同時也增加了電極間的電容,使得功耗增加,發光效率降低。
發明內容
本實用新型的主要目的針對現有的單根電極存在的亮度低,發光效率不高的問題,提供一種適合于安裝在槽型等離子體顯示板(SM-PDP)的前基板表面能提高發光亮度和發光效率的等離子體顯示器用電極。
本實用新型的技術方案之一是:
一種槽型等離子體顯示板用電極,包括設置于前基極表面的第一金屬電極和與第一金屬電極相平行的、結構、尺寸相同的第二金屬電極,其特征是所述的第一金屬電極由上弧形金屬串接線和下弧形金屬串接線組成,上弧形金屬串接線和下弧形金屬串接線的一端并接于掃描觸點處,所述的上弧形金屬串接線和下弧形金屬串接線上的弧形段與蔭罩上的網格孔相對,且在每段弧形段上均連接有橋接電極,上弧形金屬串接線和下弧形金屬串接線上的相對的弧形段上的橋接電極分別位于所對應的蔭罩網格孔的對角線上。
所述的上弧形金屬串接線和下弧形金屬串接線上的弧形段或同為外凸形形結構,或同為內凸弧形結構。
本實用新型的技術方案之二是:
一種槽型等離子體顯示板用電極,包括設置于前基極表面的第一金屬電極和與第一金屬電極相平行的、結構、尺寸相同的第二金屬電極,其特征是所述的第一金屬電極由上直線形和下直線形金屬線組成,上直線形金屬線和下直線形金屬線的一端并接于掃描觸點處,所述的上直線形金屬線和下直線形金屬線的與蔭罩上的各網格孔相對位置處至少連接有一個位置、大小和方向可調的橋接電極,該橋接電極與相對的上直線形金屬線或下直線形金屬線組成T形結構。
所述的上直線形金屬線和下直線形金屬線的位于同一蔭罩網格孔中的橋接電極位于網格孔的對角線上且其與所連接的金屬線的角度可調。
本實用新型的技術方案之三是:
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于南京華顯高科有限公司,未經南京華顯高科有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200720306700.9/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





