[實用新型]小型氫原子頻標立式磁屏蔽裝置

無效

• 申請號: 200720305718.7
• 申請日: 2007-11-16
• 公開（公告）號: CN201123218Y
• 公開（公告）日: 2008-09-24
• 發明（設計）人: 張繼紅;崔利亞;高連山;孫永紅;沈國輝;周鐵中;李晶;楊峰;余傳佩;王翰林
• 申請（專利權）人: 中國航天科工集團第二研究院二○三所
• 主分類號: H05K9/00
• 分類號: H05K9/00
• 代理公司: 中國航天科工集團公司專利中心
• 代理人: 岳潔菱

技術領域

本實用新型涉及磁屏蔽裝置，特別是小型氫原子頻標立式磁屏蔽裝置。

背景技術

以往的磁屏蔽裝置結構為四層立式結構，整個裝置重量達17kg，每層屏蔽由獨立的上蓋、下蓋和側筒機械連接。各個上下蓋之間有鋁支架，與側筒不接觸。支架以及屏蔽之間絕緣處理。以往的裝置重量大，不利于小型化的要求；裝置內沒有減震措施，連接固定措施不夠，結構穩定性差；且上蓋、下蓋和側筒完全獨立，重復安裝的可靠性低。安裝完成后僅能在實驗室環境下固定使用。

實用新型內容

本實用新型目的在于提供一種小型氫原子頻標立式磁屏蔽裝置，解決重量重、穩定性差、可靠性低的問題。

小型氫原子頻標立式磁屏蔽裝置包括屏蔽層、鋁支架，還包括支撐桿和絕緣減震膠墊。其中屏蔽層由上蓋、下蓋和側筒構成，上蓋為圓盤，側筒為圓筒，上蓋直徑與側筒直徑對應，上蓋與側筒的頂端焊接為一體，下蓋為邊緣帶有突臺的圓盤，突臺高度為10mm-15mm，下蓋突臺的內徑與側筒的外徑相對應，側筒的底端與下蓋突臺端扣接。多層屏蔽層以嵌套式結構組合在一起，由內向外各層屏蔽層的直徑由小變大，高度由低到高。最外層屏蔽筒上筒壁厚為0.8mm-1.2mm，直徑為255mm-265mm，高度為275mm-285mm，下蓋的厚度為8.0mm-12.0mm，外徑為265mm-285mm，內層壁厚為0.3mm-0.5mm。鋁支架置于屏蔽的上蓋之間和下蓋之間，絕緣減震膠墊置于鋁支架和屏蔽的上蓋、下蓋之間。最外層下蓋上有相應內層底蓋中心均分的三個螺紋孔。內層屏蔽的上蓋、下蓋通過支撐桿固定在最外層下蓋上。屏蔽層材料為坡莫合金。

由于屏蔽層的阻礙作用，外部磁場的主要沿屏蔽層進行傳播而不能穿過屏蔽層，僅有少量磁場分量能穿過屏蔽層進入內部區域，經過多層屏蔽作用，最終在屏蔽最內層內部形成均勻穩定微弱的剩余磁場，并且在長期連續的工作過程中，不因外界環境條件的改變而變化。

通過對磁屏蔽裝置進行改進，磁屏蔽裝置的重量減少到12kg，結構得到了強化，穩定性和可靠性均得到了提高，工作環境有了大范圍擴展。

附圖說明

圖1小型氫原子頻標立式磁屏蔽裝置結構示意圖

1.上蓋??2.側筒??3.下蓋??4.最外層屏蔽上蓋??5.最外層屏蔽側筒??6.最外層屏蔽下蓋??7.絕緣減震膠墊8.支撐桿??9.鋁支架

具體實施方式

小型氫原子頻標立式磁屏蔽裝置包括屏蔽層、鋁支架9，還包括支撐桿8和絕緣減震膠墊7。其中屏蔽層為四層，由上蓋1、側筒2和下蓋3構成，上蓋1為圓盤，側筒2為圓筒，上蓋1直徑與側筒2直徑對應，上蓋1與側筒2的頂端焊接為一體，下蓋3為邊緣帶有突臺的圓盤，突臺高度為12mm，下蓋3突臺的內徑與側筒2的外徑相對應，側筒2的底端與下蓋3突臺扣接。屏蔽層由內向外依次為屏蔽層a、屏蔽層b、屏蔽層c、屏蔽層d。四層屏蔽層以嵌套式結構組合在一起，由內向外各層屏蔽層的直徑由小變大，高度由低到高。屏蔽層a壁厚為0.5mm，直徑為190mm，高度為240mm；屏蔽層b壁厚為0.5mm，直徑為210mm，高度為260mm；屏蔽層c壁厚為0.5mm，直徑為230mm，高度為280mm；最外層屏蔽上蓋4即屏蔽層d上蓋厚1.0mm，最外層屏蔽側筒5即屏蔽層d側筒壁厚為1.0mm，直徑為256mm，高度為300mm，最外層屏蔽下蓋6即屏蔽層d下蓋的厚度為10.0mm，外徑為276mm。屏蔽層上蓋1之間和下蓋2之間的間隙均用絕緣減震膠墊7和鋁支架9分隔固定，支撐桿8固定在最外層屏蔽下蓋6上，內層屏蔽用鋁支架9通過支撐桿8固定在最外層屏蔽下蓋6上。