[實用新型]P溝道大功率半導體恒電流二極管

無效

• 申請號: 200720200016.2
• 申請日: 2007-01-15
• 公開（公告）號: CN201066692Y
• 公開（公告）日: 2008-05-28
• 發明（設計）人: 劉橋
• 申請（專利權）人: 貴州大學
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861
• 代理公司: 貴陽中新專利商標事務所
• 代理人: 劉楠

1.一種P溝道大功率半導體恒電流二極管，它包括N型半導體襯底(2)，其特征在于：在N型半導體襯底(2)上設有一個P型半導體區域(4)和一個P型半導體區域(3)，P型半導體區域(4)和P型半導體區域(3)通過金屬電極(7)連接；在P型半導體區域(4)上設有N+型半導體區域(6)，N型半導體襯底(2)、P型半導體區(4)和N+型半導體區(6)通過金屬電極(8)連接；在P型半導體區域(3)上也設有N+型半導體(5)，N+型半導體(5)連接金屬電極(9)。

2.如權利要求1所述的P溝道大功率半導體恒電流二極管，其特征在于：金屬電極(9)的輸出電流為20mA-1A。